Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 17

2SA2071T100Q

Teilbestand: 166311

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SCR533P5T100

Teilbestand: 118689

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

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2SD1834T100

Teilbestand: 182653

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 3V,

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2SCR544P5T100

Teilbestand: 169427

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SAR544PT100

Teilbestand: 169798

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SCR533PT100

Teilbestand: 167101

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

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2SCR372P5T100R

Teilbestand: 186616

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

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2SD1898T100Q

Teilbestand: 107860

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

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2SB1260T100Q

Teilbestand: 111814

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SCR293P5T100

Teilbestand: 105429

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SAR514P5T100

Teilbestand: 199546

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SCR553PFRAT100

Teilbestand: 8635

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SAR552PFRAT100

Teilbestand: 8690

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SAR512PT100

Teilbestand: 198993

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SCR375P5T100Q

Teilbestand: 141385

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

2SB1386T100Q

Teilbestand: 121078

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SC2062STPC

Teilbestand: 6746

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SD2607FU6

Teilbestand: 6790

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SB1565FU6E

Teilbestand: 108047

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

2SD1733TLP

Teilbestand: 141181

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SA2093TV2Q

Teilbestand: 6676

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SC5826TV2Q

Teilbestand: 6625

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SC5826TV2R

Teilbestand: 6662

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SC4115STPQ

Teilbestand: 6598

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SC4115STPS

Teilbestand: 6624

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SD1768STPR

Teilbestand: 6599

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SC5880TV2R

Teilbestand: 6648

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SC5880TV2Q

Teilbestand: 6597

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SD1468STPR

Teilbestand: 6684

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SD1468STPS

Teilbestand: 6614

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SC3415STPP

Teilbestand: 6614

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

2SA1515STPR

Teilbestand: 6642

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SD2144STPU

Teilbestand: 5681

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V,

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Rohm Semiconductor

2SC3415STPN

Teilbestand: 6666

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

2SD2705STP

Teilbestand: 6617

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V,

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Rohm Semiconductor

2SC1741ASTPR

Teilbestand: 6668

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

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