Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

STH110N8F7-2

Teilbestand: 294

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 55A, 10V,

STB18N60M2

Teilbestand: 51623

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 6.5A, 10V,

STH110N10F7-2

Teilbestand: 48017

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 55A, 10V,

STB18NF30

Teilbestand: 49431

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 330V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 9A, 10V,

STB32NM50N

Teilbestand: 38420

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 11A, 10V,

STL57N65M5

Teilbestand: 5974

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 69 mOhm @ 20A, 10V,

STL13N60DM2

Teilbestand: 79564

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 370 mOhm @ 4A, 10V,

STB10LN80K5

Teilbestand: 48886

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 630 mOhm @ 4A, 10V,

STB18N65M5

Teilbestand: 34237

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 7.5A, 10V,

STW33N60M2

Teilbestand: 19287

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 13A, 10V,

STP25N80K5

Teilbestand: 7300

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 19.5A, 10V,

STLD200N4F6AG

Teilbestand: 57073

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 mOhm @ 75A, 10V,

STF10N80K5

Teilbestand: 13224

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

STB18NF25

Teilbestand: 56826

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 165 mOhm @ 8.5A, 10V,

STP18N65M5

Teilbestand: 18339

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 7.5A, 10V,

STL10N60M2

Teilbestand: 67105

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 660 mOhm @ 2.5A, 10V,

STL45N65M5

Teilbestand: 14555

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 86 mOhm @ 14.5A, 10V,

STW25N80K5

Teilbestand: 6808

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 19.5A, 10V,

STB8N65M5

Teilbestand: 58358

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

STL11N65M2

Teilbestand: 76883

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 670 mOhm @ 3.5A, 10V,

STB43N65M5

Teilbestand: 16479

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 63 mOhm @ 21A, 10V,

STI20N60M2-EP

Teilbestand: 63813

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 278 mOhm @ 6.5A, 10V,

STWA50N65DM2AG

Teilbestand: 300

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 87 mOhm @ 19A, 10V,

STW30N80K5

Teilbestand: 16671

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 12A, 10V,

STP12NM50

Teilbestand: 48106

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 6A, 10V,

STR2P3LLH6

Teilbestand: 100393

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 1A, 10V,

STFU13N80K5

Teilbestand: 15866

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 6A, 10V,

STL42N65M5

Teilbestand: 8320

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), 34A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 79 mOhm @ 16.5A, 10V,

STF12N120K5

Teilbestand: 6622

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 690 mOhm @ 6A, 10V,

STL150N3LLH6

Teilbestand: 49478

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 16.5A, 10V,

STL285N4F7AG

Teilbestand: 50296

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 mOhm @ 24A, 10V,

STL6N3LLH6

Teilbestand: 120461

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V,

STL16N60M6

Teilbestand: 68038

STP260N6F6

Teilbestand: 20712

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 60A, 10V,

STFW24NM60N

Teilbestand: 33477

STF6N95K5

Teilbestand: 22828

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 950V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,