FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.7V @ 250µA,
FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,
