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Dioden - Gleichrichter - Arrays

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MBRS1590CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1590CT MNG

Teilbestand: 100

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SRF1040HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1040HC0G

Teilbestand: 117

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBR3045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045PT C0G

Teilbestand: 145

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP1002HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1002HC0G

Teilbestand: 131

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MBRS2550CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2550CTHMNG

Teilbestand: 78

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
HER1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1604G C0G

Teilbestand: 146

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SRS1650 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1650 MNG

Teilbestand: 112

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
HERF1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1003G C0G

Teilbestand: 77

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
HERF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1001G C0G

Teilbestand: 76

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2090PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090PTHC0G

Teilbestand: 80

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS2035CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2035CT MNG

Teilbestand: 172

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR30L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L120CT C0G

Teilbestand: 161

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2050CT C0G

Teilbestand: 168

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SRS20150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS20150HMNG

Teilbestand: 85

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP1604 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1604 C0G

Teilbestand: 158

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SRF1060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1060HC0G

Teilbestand: 108

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS3045CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS3045CT MNG

Teilbestand: 90

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR20100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100PT C0G

Teilbestand: 90

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR1640PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640PT C0G

Teilbestand: 79

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRS1560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1560CTHMNG

Teilbestand: 77

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRS20100CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20100CT MNG

Teilbestand: 140

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRS1045CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1045CTHMNG

Teilbestand: 83

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF20H200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20H200CT C0G

Teilbestand: 125

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MURF1660CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MURF1660CT C0G

Teilbestand: 156

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBR30L45CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L45CT C0G

Teilbestand: 114

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRS20150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CT MNG

Teilbestand: 153

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.23V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
SRS20100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS20100HMNG

Teilbestand: 146

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRS2535CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CTHMNG

Teilbestand: 136

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBR2045PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2045PT C0G

Teilbestand: 83

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBR2050PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2050PTHC0G

Teilbestand: 139

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRF3080CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3080CT C0G

Teilbestand: 105

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRF3035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3035CT C0G

Teilbestand: 127

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
SRF2020HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2020HC0G

Teilbestand: 119

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25100CTHC0G

Teilbestand: 143

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBRF3090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3090CT C0G

Teilbestand: 88

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
SR1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1650 C0G

Teilbestand: 136

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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