Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 21

SRS1030HMNG

Teilbestand: 130

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3050CTHC0G

Teilbestand: 131

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100CTHC0G

Teilbestand: 164

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2560CT C0G

Teilbestand: 153

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1545CT MNG

Teilbestand: 130

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2045CTHC0G

Teilbestand: 127

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

Teilbestand: 149

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

Teilbestand: 160

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

Teilbestand: 130

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

Teilbestand: 73

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

Teilbestand: 106

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

Teilbestand: 156

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

Teilbestand: 104

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

Teilbestand: 130

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

Teilbestand: 78

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

Teilbestand: 119

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

Teilbestand: 96

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

Teilbestand: 107

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

Teilbestand: 128

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

Teilbestand: 79

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

Teilbestand: 145

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 12.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

Teilbestand: 106

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2008GHC0G

Teilbestand: 77

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L100CTHC0G

Teilbestand: 77

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRS20100 MNG

Teilbestand: 107

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150HC0G

Teilbestand: 89

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3090CTHC0G

Teilbestand: 162

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30100CT C0G

Teilbestand: 107

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1050 C0G

Teilbestand: 171

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1007GA C0G

Teilbestand: 91

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CTHMNG

Teilbestand: 83

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR16100PTHC0G

Teilbestand: 116

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2535CT C0G

Teilbestand: 110

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060PTHC0G

Teilbestand: 168

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2008G C0G

Teilbestand: 74

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40200PT C0G

Teilbestand: 124

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.01V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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