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Dioden - Zener - Single

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1SMA5953 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5953 R3G

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 150V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 600 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 114V,

Wunschzettel
1SMA5930HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5930HR3G

Teilbestand: 134

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 12.2V,

Wunschzettel
1SMA200Z R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA200Z R3G

Teilbestand: 126

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 200V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 1500 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 152V,

Wunschzettel
1N5224B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5224B A0G

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 75µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

Wunschzettel
1N4731G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4731G A0G

Teilbestand: 146

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 9 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
1N5226B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5226B A0G

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 28 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 25µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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1SMA4748 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4748 R3G

Teilbestand: 193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 23 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16.7V,

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1N4753G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753G R1G

Teilbestand: 106

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 27.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
1SMB5928HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5928HR5G

Teilbestand: 128

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 9.9V,

Wunschzettel
1N5262B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5262B A0G

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 39V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

Wunschzettel
1SMA4745 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4745 R3G

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 16 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 12.2V,

Wunschzettel
1SMA4761 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4761 R3G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 175 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 56V,

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1SMB5942 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5942 R5G

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 38.8V,

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1SMA5951 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5951 R3G

Teilbestand: 160

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 120V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 360 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 91.2V,

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1SMB5951 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5951 R5G

Teilbestand: 136

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 120V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 360 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 91.2V,

Wunschzettel
1SMB5931 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5931 R5G

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 12 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 13.7V,

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1SMB5954 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5954 R5G

Teilbestand: 112

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 160V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 700 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 121.6V,

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1N5261B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5261B A0G

Teilbestand: 166

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 105 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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1PGSMB5949 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMB5949 R5G

Teilbestand: 132

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 250 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 76V,

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1N5225B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5225B A0G

Teilbestand: 140

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 29 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

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1SMA4743HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4743HR3G

Teilbestand: 200

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 9.9V,

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1SMA5927 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5927 M2G

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 6.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 9.1V,

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1SMA130Z R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA130Z R3G

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 130V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 700 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 98.8V,

Wunschzettel
1N4756G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756G A0G

Teilbestand: 121

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 35.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
1SMA4745HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4745HR3G

Teilbestand: 161

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 16 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 12.2V,

Wunschzettel
1N4758G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758G A0G

Teilbestand: 157

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 42.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
1SMA160Z R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA160Z R3G

Teilbestand: 131

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 160V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 1100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 121.6V,

Wunschzettel
1SMB5926HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5926HR5G

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 5.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 8.4V,

Wunschzettel
1N4751G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751G A0G

Teilbestand: 147

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 22.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

Wunschzettel
1SMA5947HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5947HR3G

Teilbestand: 125

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 82V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 160 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 62.2V,

Wunschzettel
1SMB5937HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMB5937HR5G

Teilbestand: 123

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 3W, Impedanz (Max) (Zzt): 33 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 25.1V,

Wunschzettel
1SMA4741 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4741 R3G

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 8.4V,

Wunschzettel
1N5222B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5222B A0G

Teilbestand: 196

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

Wunschzettel
1SMA5930 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5930 R3G

Teilbestand: 193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 12.2V,

Wunschzettel
1N5221B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5221B A0G

Teilbestand: 163

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA,

Wunschzettel
1SMA5956 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5956 R3G

Teilbestand: 135

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 200V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 1200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 152V,

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