Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

1N4754A A0G

Teilbestand: 212

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 29.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1M200ZHB0G

Teilbestand: 123

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 200V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 1500 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 152V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHR1G

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 350 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 76V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743AHR1G

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 38.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756A A0G

Teilbestand: 146

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 35.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHA0G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 350 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 76V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A A0G

Teilbestand: 150

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 22.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHB0G

Teilbestand: 138

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHB0G

Teilbestand: 204

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHR1G

Teilbestand: 188

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A B0G

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 11.4V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A B0G

Teilbestand: 130

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 32.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A R1G

Teilbestand: 125

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1M130Z R1G

Teilbestand: 152

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 130V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 700 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 98.8V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761AHB0G

Teilbestand: 191

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 175 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 56V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A R1G

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 7.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R1G

Teilbestand: 150

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 350 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 76V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R1G

Teilbestand: 152

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 29.7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1M150ZHA0G

Teilbestand: 119

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 150V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 1000 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 114V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A A0G

Teilbestand: 141

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 42.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759AHR1G

Teilbestand: 200

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 47.1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A B0G

Teilbestand: 153

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 91V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 250 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 69.2V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738HR3G

Teilbestand: 194

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 4.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740HM2G

Teilbestand: 201

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 7.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739HR3G

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738HM2G

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 4.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739 M2G

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4738 M2G

Teilbestand: 148

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 4.5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740 M2G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 7.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4740HR3G

Teilbestand: 220

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 7.6V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5946HR3G

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 140 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 56V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA5946 R3G

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.5W, Impedanz (Max) (Zzt): 140 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 56V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739 R3G

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4739HM2G

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4737 R3G

Teilbestand: 141

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 5V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

1SMA4737HM2G

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.25W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 5V,

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