Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZD27C33PHMTG

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±6.06%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C27P RUG

Teilbestand: 139

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±7.03%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C200P R3G

Teilbestand: 93

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 200V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 750 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 150V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C20PHMTG

Teilbestand: 159

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C160P M2G

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 162V, Toleranz: ±5.55%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 350 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 120V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C39PHR3G

Teilbestand: 133

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5.12%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 30V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22P MQG

Teilbestand: 126

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22.05V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C27PHR3G

Teilbestand: 94

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±7.03%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C43PHR3G

Teilbestand: 145

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±6.97%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C220PHR3G

Teilbestand: 107

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 220.5V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 900 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 160V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C56PHRFG

Teilbestand: 135

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±7.14%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C130P RVG

Teilbestand: 96

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 132.5V, Toleranz: ±6.41%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 300 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 100V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C27P RVG

Teilbestand: 109

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±7.03%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C51P R3G

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 39V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C18P RVG

Teilbestand: 125

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 17.95V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C100P RVG

Teilbestand: 137

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C47PHR3G

Teilbestand: 96

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C11PHR3G

Teilbestand: 166

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5.45%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22P MTG

Teilbestand: 123

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22.05V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C16P R3G

Teilbestand: 118

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5.625%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C56P MTG

Teilbestand: 122

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±7.14%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C120P R3G

Teilbestand: 105

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 120.5V, Toleranz: ±5.39%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 300 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 91V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C160PHR3G

Teilbestand: 157

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 162V, Toleranz: ±5.55%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 350 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 120V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B36 L0G

Teilbestand: 131

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C9V1 A0G

Teilbestand: 119

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C3V9 A0G

Teilbestand: 124

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V8 RKG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B3V6 L0G

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C7V5 A0G

Teilbestand: 188

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C68 A0G

Teilbestand: 128

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 160 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C39 A0G

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 28V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C39 A0G

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 27.3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B2V4 A0G

Teilbestand: 147

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B16 A0G

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C3V6 L0G

Teilbestand: 109

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C18 L0G

Teilbestand: 131

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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