Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZD17C13P RTG

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±6.53%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C24P MTG

Teilbestand: 193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5.83%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C47P RTG

Teilbestand: 152

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C100P RFG

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C13P MHG

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±6.53%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C75P RTG

Teilbestand: 150

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C220P RUG

Teilbestand: 149

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 220V, Toleranz: ±5.68%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 900 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 160V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C36P RVG

Teilbestand: 165

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5.55%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C33PHM2G

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±6.06%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C100P RUG

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C180P RTG

Teilbestand: 234

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 179.5V, Toleranz: ±6.4%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 450 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 130V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C220PHM2G

Teilbestand: 139

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 220.5V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 900 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 160V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C180P M2G

Teilbestand: 145

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 180V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 450 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 130V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C100P MQG

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C33P RFG

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±6.06%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C33P MQG

Teilbestand: 142

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±6.06%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C30P MTG

Teilbestand: 150

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±6.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22PHRFG

Teilbestand: 151

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22.05V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C220P RHG

Teilbestand: 146

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 220V, Toleranz: ±5.68%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 900 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 160V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C68P MHG

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C130PHRQG

Teilbestand: 217

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 132.5V, Toleranz: ±6.41%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 300 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 100V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C36PHRFG

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5.55%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C18P RTG

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 17.95V, Toleranz: ±6.4%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C120P RHG

Teilbestand: 139

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 120.5V, Toleranz: ±5.39%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 300 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 91V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68P MTG

Teilbestand: 228

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22PHM2G

Teilbestand: 229

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22.05V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68PHRVG

Teilbestand: 162

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C13P MQG

Teilbestand: 231

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±6.53%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C200PHM2G

Teilbestand: 141

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 200V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 750 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 150V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C43P RVG

Teilbestand: 165

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±6.97%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C68P RVG

Teilbestand: 219

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C100P M2G

Teilbestand: 188

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C47P RFG

Teilbestand: 146

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 36V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C15PHMHG

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 14.7V, Toleranz: ±6.12%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C15P MHG

Teilbestand: 137

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C220P RFG

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 220.5V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 900 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 160V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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