Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

SR209 R0G

Teilbestand: 131

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1M R1G

Teilbestand: 147

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR107G B0G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF10150 C0G

Teilbestand: 83

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR802HB0G

Teilbestand: 100

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESDLW RQG

Teilbestand: 122

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 800mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF63GHA0G

Teilbestand: 91

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF64G B0G

Teilbestand: 132

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1645HMNG

Teilbestand: 159

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HT16G A0G

Teilbestand: 91

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1620 C0G

Teilbestand: 105

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS890 MNG

Teilbestand: 162

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR220HR0G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF27G A0G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF840HC0G

Teilbestand: 149

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRT15 A0G

Teilbestand: 155

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF807G C0G

Teilbestand: 83

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1004GHC0G

Teilbestand: 141

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HT13G A0G

Teilbestand: 83

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

GPA801HC0G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HT17G R0G

Teilbestand: 174

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF802GHC0G

Teilbestand: 90

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER208G B0G

Teilbestand: 108

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4001 R1G

Teilbestand: 98

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR460 B0G

Teilbestand: 110

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.28V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR735 C0G

Teilbestand: 103

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 7.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF44GHA0G

Teilbestand: 151

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1203 B0G

Teilbestand: 100

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR509HB0G

Teilbestand: 119

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1504HR0G

Teilbestand: 93

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

GPAS1006 MNG

Teilbestand: 90

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1090 C0G

Teilbestand: 147

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR004 B0G

Teilbestand: 114

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF44GHB0G

Teilbestand: 143

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF8100HC0G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR210 R0G

Teilbestand: 156

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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