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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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HER201G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER201G B0G

Teilbestand: 123

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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RSFKLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKLHMHG

Teilbestand: 121

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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ES3DVHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DVHM6G

Teilbestand: 166

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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SK310AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK310AHR3G

Teilbestand: 136

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FR154GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR154GHA0G

Teilbestand: 101

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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RS1DLHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DLHR3G

Teilbestand: 155

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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HER203G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER203G B0G

Teilbestand: 190

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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SS12L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12L RUG

Teilbestand: 168

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1BL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL RVG

Teilbestand: 166

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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SR220HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR220HA0G

Teilbestand: 140

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS26HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS26HR5G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FR301G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR301G B0G

Teilbestand: 124

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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FR202G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR202G A0G

Teilbestand: 184

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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SF24G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF24G B0G

Teilbestand: 110

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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F1T5GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T5GHA0G

Teilbestand: 119

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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UG54G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG54G A0G

Teilbestand: 166

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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SR304HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR304HB0G

Teilbestand: 97

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS310L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS310L RUG

Teilbestand: 159

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1CL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1CL R3G

Teilbestand: 117

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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SS14 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS14 M2G

Teilbestand: 150

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR160 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160 B0G

Teilbestand: 190

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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SR215 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR215 B0G

Teilbestand: 140

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SR204HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR204HB0G

Teilbestand: 187

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SF2L6GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L6GHB0G

Teilbestand: 148

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MUR105S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR105S M4G

Teilbestand: 177

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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SF2L8GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L8GHA0G

Teilbestand: 178

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel
HER201G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER201G A0G

Teilbestand: 126

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

Wunschzettel
SS12LHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LHR3G

Teilbestand: 159

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
SK210AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK210AHR3G

Teilbestand: 168

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SF2L6G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L6G B0G

Teilbestand: 159

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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SR205 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR205 B0G

Teilbestand: 121

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
ES1DL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DL R3G

Teilbestand: 150

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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ES3DVHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DVHR7G

Teilbestand: 192

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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SK320AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320AHR3G

Teilbestand: 124

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ES1GL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GL M2G

Teilbestand: 125

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel
RS3AHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3AHR7G

Teilbestand: 193

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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