Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Zuhause
Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHR0G

Teilbestand: 116

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSS43U RGG

Teilbestand: 172

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSS54U RGG

Teilbestand: 145

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

S15JC M6G

Teilbestand: 165

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S4G

Teilbestand: 204

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15H200S S1G

Teilbestand: 159

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LGHM2G

Teilbestand: 181

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60 S4G

Teilbestand: 146

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230U RGG

Teilbestand: 162

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

S15KC M6G

Teilbestand: 221

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

S15GC M6G

Teilbestand: 158

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSS40U RGG

Teilbestand: 193

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

S15MC M6G

Teilbestand: 137

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45 RVG

Teilbestand: 218

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U60 M2G

Teilbestand: 146

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JB M4G

Teilbestand: 154

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSSE3U60 RVG

Teilbestand: 168

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45HRVG

Teilbestand: 140

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V7G

Teilbestand: 116

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSS83L45 MXG

Teilbestand: 201

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG M2G

Teilbestand: 170

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S3G

Teilbestand: 161

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ M2G

Teilbestand: 174

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0340U RGG

Teilbestand: 173

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230LU RGG

Teilbestand: 167

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5JHC0G

Teilbestand: 127

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JDHC0G

Teilbestand: 196

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15U120S S1G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG R3G

Teilbestand: 185

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U45 M2G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ R3G

Teilbestand: 195

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHM2G

Teilbestand: 136

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12J C0G

Teilbestand: 166

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHMTG

Teilbestand: 184

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MQG

Teilbestand: 209

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMHG

Teilbestand: 154

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

3600

«
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
»