Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

V8P15HM3/I

Teilbestand: 108

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P20-M3/87A

Teilbestand: 154207

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.34V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6HM3/I

Teilbestand: 98

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P45HM3_A/I

Teilbestand: 105

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P4L-M3/87A

Teilbestand: 198629

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P15HM3/I

Teilbestand: 81

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH02-M3/87A

Teilbestand: 132875

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM10-M3/H

Teilbestand: 164

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10HM3/H

Teilbestand: 120

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P15-M3/H

Teilbestand: 170

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01HM3/87A

Teilbestand: 176740

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 22ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2LHM3_A/H

Teilbestand: 115209

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB260-E3/73

Teilbestand: 128992

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SB250-E3/54

Teilbestand: 147045

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P12-M3/87A

Teilbestand: 194843

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P5-M3/86A

Teilbestand: 126323

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10-M3/I

Teilbestand: 109

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P12-M3/87A

Teilbestand: 144754

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH02-M3/87A

Teilbestand: 154689

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 22ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P3LHM3_A/H

Teilbestand: 169206

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P3-M3/87A

Teilbestand: 123862

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01-M3/87A

Teilbestand: 101043

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P6HM3_A/I

Teilbestand: 93

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 590mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12-M3/87A

Teilbestand: 189961

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.9A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P5L-M3/87A

Teilbestand: 142924

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P6HM3_A/I

Teilbestand: 104082

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM12-M3/H

Teilbestand: 110

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P12HM3_A/H

Teilbestand: 183654

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH06HM3/86A

Teilbestand: 154696

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 40ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6L-M3/87A

Teilbestand: 169569

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2L-M3/87A

Teilbestand: 121282

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15HM3/H

Teilbestand: 171

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4-M3/87A

Teilbestand: 122842

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15-M3/I

Teilbestand: 167

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.08V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P10-M3/H

Teilbestand: 127

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 710mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P6-M3/87A

Teilbestand: 126499

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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