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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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VS-15ETH03SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15ETH03SPBF

Teilbestand: 38832

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 32ns,

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VS-300UR20A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300UR20A

Teilbestand: 1638

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 942A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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V15P45-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45-M3/87A

Teilbestand: 183477

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-4ESH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01HM3/87A

Teilbestand: 197463

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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SS8PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH9HM3_A/H

Teilbestand: 166

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V10P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P12-M3/86A

Teilbestand: 157214

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/87A

Teilbestand: 108288

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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SB260-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB260-E3/53

Teilbestand: 144793

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8PL6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PL6-M3/87A

Teilbestand: 187671

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V15P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/H

Teilbestand: 152

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJ-M3/87A

Teilbestand: 101943

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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V10PM12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12HM3_A/H

Teilbestand: 141957

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SB2H90-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H90-E3/73

Teilbestand: 113560

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V10P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P6-M3/87A

Teilbestand: 179446

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 590mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S4PBHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PBHM3_A/H

Teilbestand: 133056

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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SS8PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH10HM3_A/I

Teilbestand: 115

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-25FR60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25FR60

Teilbestand: 11665

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 78A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SS5P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P10HM3_A/I

Teilbestand: 154

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-18TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045S-M3

Teilbestand: 95130

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 18A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 18A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MUR120/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR120/54

Teilbestand: 181036

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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VS-10TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRR-M3

Teilbestand: 89375

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V10P45S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P45S-M3/87A

Teilbestand: 178148

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-50WQ10FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNHM3

Teilbestand: 84421

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-30WQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRR-M3

Teilbestand: 114111

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-10TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRL-M3

Teilbestand: 87830

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-4ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01-M3/86A

Teilbestand: 185400

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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VS-50WQ03FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNHM3

Teilbestand: 163878

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8P45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45-M3/86A

Teilbestand: 184786

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-20TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ045S-M3

Teilbestand: 98453

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-MBRB1035TRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1035TRL-M3

Teilbestand: 99247

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V10PM10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/H

Teilbestand: 161

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V12P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P6-M3/87A

Teilbestand: 148947

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8P45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45HM3_A/I

Teilbestand: 140

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-MBRD330TRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD330TRR-M3

Teilbestand: 124872

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-MBRD340-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD340-M3

Teilbestand: 188216

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-10WQ045FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRL-M3

Teilbestand: 174495

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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