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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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VS-10TQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035STRLHM3

Teilbestand: 68781

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-50WQ06FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRLHM3

Teilbestand: 85985

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-6TQ040S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6TQ040S-M3

Teilbestand: 137750

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ080STRLHM3

Teilbestand: 69374

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-50WQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTR-M3

Teilbestand: 122267

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-30WQ06FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ06FNTRHM3

Teilbestand: 101393

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-MBRD320-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD320-M3

Teilbestand: 103779

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-12TQ045STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ045STRRHM3

Teilbestand: 70225

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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V8P6HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P6HM3_A/H

Teilbestand: 127

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-50WQ06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ06FNTRRHM3

Teilbestand: 86043

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS10PH45-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45-M3/86A

Teilbestand: 139624

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GP10G-4004HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10G-4004HE3/54

Teilbestand: 129060

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ03FNTRL-M3

Teilbestand: 118871

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS3P3L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P3L-M3/86A

Teilbestand: 111263

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-19TQ015STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015STRR-M3

Teilbestand: 102

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 19A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 38A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-30WQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRLHM3

Teilbestand: 99885

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-18TQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ040HN3

Teilbestand: 76719

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 18A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 18A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-30WQ04FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ04FNTRL-M3

Teilbestand: 129619

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-8TQ100S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8TQ100S-M3

Teilbestand: 113298

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-12TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040STRR-M3

Teilbestand: 90498

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-12TQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ035STRR-M3

Teilbestand: 90036

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-STPS1045BTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-STPS1045BTR-M3

Teilbestand: 178165

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-6ESH06-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH06-M3/87A

Teilbestand: 191284

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 40ns,

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S4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PGHM3_A/I

Teilbestand: 145380

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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GP10G-4004EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10G-4004EHE3/54

Teilbestand: 150832

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SS8P3L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3L-M3/87A

Teilbestand: 118173

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PK-M3/87A

Teilbestand: 194886

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PDHM3_A/H

Teilbestand: 157718

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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VS-10TQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ035S-M3

Teilbestand: 104301

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PMHM3_A/H

Teilbestand: 151082

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2.5µs,

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V20PL60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PL60-M3/87A

Teilbestand: 175842

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 590mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS8P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3LHM3_A/H

Teilbestand: 198099

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SS10P4HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4HM3_A/H

Teilbestand: 184702

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-50WQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ04FNTRLHM3

Teilbestand: 86690

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-12TQ040SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TQ040SHM3

Teilbestand: 84992

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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VS-19TQ015STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-19TQ015STRL-M3

Teilbestand: 76226

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 19A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 19A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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