Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

AOTF4N90_002

Teilbestand: 2360

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF22N50_001

Teilbestand: 2377

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_900

Teilbestand: 2422

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_001

Teilbestand: 6258

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF18N65_001

Teilbestand: 2409

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_001

Teilbestand: 2425

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF14N50_002

Teilbestand: 2433

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_007

Teilbestand: 2390

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_001

Teilbestand: 2400

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF11S60_900

Teilbestand: 2420

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_003

Teilbestand: 2362

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOD2N100M

Teilbestand: 2357

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_002

Teilbestand: 2379

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AO6405_102

Teilbestand: 6321

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6405_101

Teilbestand: 2389

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6402A_201

Teilbestand: 2354

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 10V,

AO3416L

Teilbestand: 2332

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

AON7410L_105

Teilbestand: 2334

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7430L

Teilbestand: 2351

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

AON7410L

Teilbestand: 2369

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7408L

Teilbestand: 2366

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

AON7406L

Teilbestand: 2402

AON7403L

Teilbestand: 2348

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

AON6452L

Teilbestand: 5641

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), 26A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AON7401L

Teilbestand: 5685

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 20V,

AON6448L_001

Teilbestand: 2394

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,

AON6448L

Teilbestand: 2372

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,

AON6405L_102

Teilbestand: 6245

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6413_101

Teilbestand: 2376

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 16A, 10V,

AON6403L_APP

Teilbestand: 2344

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

AON6362P

Teilbestand: 2377

AOD454AL

Teilbestand: 2329

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V,

AOD409_002

Teilbestand: 2374

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 20A, 10V,

AO7401L

Teilbestand: 2397

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V,

AOD409_001

Teilbestand: 2374

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 20A, 10V,

AO6415L

Teilbestand: 2373

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 3.3A, 10V,