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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

AOD403L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD403L

Teilbestand: 2056

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 20V,

Wunschzettel.
AOD256_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD256_001

Teilbestand: 2045

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), 19A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AOD240_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD240_001

Teilbestand: 2023

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AOD210_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD210_001

Teilbestand: 2022

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AOB414_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB414_001

Teilbestand: 5663

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AOD206_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD206_001

Teilbestand: 2101

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), 46A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AOB411L_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB411L_001

Teilbestand: 2045

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AO7408L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7408L

Teilbestand: 2089

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wunschzettel.
AO6409_102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6409_102

Teilbestand: 2062

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wunschzettel.
AO6402L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6402L

Teilbestand: 2019

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel.
AO6403L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6403L

Teilbestand: 2096

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel.
AO4496_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4496_101

Teilbestand: 2016

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AO4494H
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4494H

Teilbestand: 2058

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 18A, 10V,

Wunschzettel.
AO4490L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4490L

Teilbestand: 1989

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 16A, 10V,

Wunschzettel.
AO4488L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4488L

Teilbestand: 2071

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AO4485L_102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4485L_102

Teilbestand: 6227

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AO4484_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4484_101

Teilbestand: 6264

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AO4482L_102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4482L_102

Teilbestand: 1999

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel.
AO4476AL_102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4476AL_102

Teilbestand: 1983

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel.
AO4476A_103
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4476A_103

Teilbestand: 2013

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel.
AO4476A_104
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4476A_104

Teilbestand: 2072

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel.
AO4466_102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4466_102

Teilbestand: 1988

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AO4459L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4459L

Teilbestand: 2002

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wunschzettel.
AO4450L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4450L

Teilbestand: 2063

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel.
AO4450_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4450_101

Teilbestand: 2022

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel.
AO4448L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4448L

Teilbestand: 6257

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AO4449L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4449L

Teilbestand: 2015

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel.
AO4435L_102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4435L_102

Teilbestand: 2032

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

Wunschzettel.
AO4435_103
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4435_103

Teilbestand: 6246

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

Wunschzettel.
AO4435_102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4435_102

Teilbestand: 2068

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 20V,

Wunschzettel.
AO4421L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4421L

Teilbestand: 1992

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 10V,

Wunschzettel.
AO4419_003
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4419_003

Teilbestand: 2007

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V,

Wunschzettel.
AO4419L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4419L

Teilbestand: 6287

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 9.7A, 10V,

Wunschzettel.
AO4413L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4413L

Teilbestand: 6263

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 20V,

Wunschzettel.
AO4411L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4411L

Teilbestand: 2039

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 8A, 10V,

Wunschzettel.
AO4407L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4407L

Teilbestand: 2071

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.