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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZE3043AKSA1

Teilbestand: 153

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

Wunschzettel.
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZAKSA1

Teilbestand: 141

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

Wunschzettel.
BTS244Z E3043
Infineon Technologies

BTS244Z E3043

Teilbestand: 84

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Wunschzettel.
BTS244Z E3062A
Infineon Technologies

BTS244Z E3062A

Teilbestand: 149

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Wunschzettel.
BTS113AE3064NKSA1
Infineon Technologies

BTS113AE3064NKSA1

Teilbestand: 94

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Wunschzettel.
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies

BTS244ZNKSA1

Teilbestand: 175

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Wunschzettel.
BTS113ANKSA1
Infineon Technologies

BTS113ANKSA1

Teilbestand: 176

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Wunschzettel.
BTS113AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS113AE3045ANTMA1

Teilbestand: 161

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Wunschzettel.
BTS110NKSA1
Infineon Technologies

BTS110NKSA1

Teilbestand: 140

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel.
BTS110E3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS110E3045ANTMA1

Teilbestand: 180

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel.
BSS87 E6433
Infineon Technologies

BSS87 E6433

Teilbestand: 144

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS84P E6433
Infineon Technologies

BSS84P E6433

Teilbestand: 174

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS225L6327HTSA1

Teilbestand: 6048

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS225
Infineon Technologies

BSS225

Teilbestand: 103

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS169 E6906
Infineon Technologies

BSS169 E6906

Teilbestand: 94

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS169 E6327
Infineon Technologies

BSS169 E6327

Teilbestand: 6104

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS159N E6906
Infineon Technologies

BSS159N E6906

Teilbestand: 129

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS159N E6327
Infineon Technologies

BSS159N E6327

Teilbestand: 170

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS139 E6906
Infineon Technologies

BSS139 E6906

Teilbestand: 116

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS139 E6327
Infineon Technologies

BSS139 E6327

Teilbestand: 166

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS138W E6433
Infineon Technologies

BSS138W E6433

Teilbestand: 159

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS138N E8004
Infineon Technologies

BSS138N E8004

Teilbestand: 164

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS138N E7854
Infineon Technologies

BSS138N E7854

Teilbestand: 6034

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS138N E6908
Infineon Technologies

BSS138N E6908

Teilbestand: 6083

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS138N E6433
Infineon Technologies

BSS138N E6433

Teilbestand: 174

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS127 E6327
Infineon Technologies

BSS127 E6327

Teilbestand: 172

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS126 E6906
Infineon Technologies

BSS126 E6906

Teilbestand: 106

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS126 E6327
Infineon Technologies

BSS126 E6327

Teilbestand: 152

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS123L7874XT
Infineon Technologies

BSS123L7874XT

Teilbestand: 161

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS119 E7978
Infineon Technologies

BSS119 E7978

Teilbestand: 169

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS123 E6433
Infineon Technologies

BSS123 E6433

Teilbestand: 169

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS119 E7796
Infineon Technologies

BSS119 E7796

Teilbestand: 122

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BSS119 E6433
Infineon Technologies

BSS119 E6433

Teilbestand: 145

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wunschzettel.
BSP92P E6327
Infineon Technologies

BSP92P E6327

Teilbestand: 140

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Wunschzettel.
BSP615S2L
Infineon Technologies

BSP615S2L

Teilbestand: 129

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wunschzettel.
BSP613P
Infineon Technologies

BSP613P

Teilbestand: 153

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Wunschzettel.