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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Gleichrichter - Arrays

1PS59SB15,115
NXP USA Inc.

1PS59SB15,115

Teilbestand: 4404

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.

1PS59SB14,115

Teilbestand: 4331

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1PS226,115
NXP USA Inc.

1PS226,115

Teilbestand: 4446

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 215mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
1PS184,135
NXP USA Inc.

1PS184,135

Teilbestand: 4337

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 215mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
1PS184,115
NXP USA Inc.

1PS184,115

Teilbestand: 4473

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 215mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
1PS70SB14/ZLX
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLX

Teilbestand: 4330

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1PS70SB14/ZLF
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLF

Teilbestand: 4334

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS184S,LF(D

Teilbestand: 4245

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1SS412(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS412(TE85L,F)

Teilbestand: 4112

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1SS360(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS360(T5L,F,T)

Teilbestand: 4169

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1SS302TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302TE85LF

Teilbestand: 162072

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1SS301SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301SU,LF

Teilbestand: 4015

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
1N6659
Microsemi Corporation

1N6659

Teilbestand: 4137

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

Teilbestand: 3721

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

Teilbestand: 3649

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

Teilbestand: 3669

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

Teilbestand: 3644

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
110CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

Teilbestand: 3638

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
110CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

Teilbestand: 3688

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

Teilbestand: 3674

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
113CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

Teilbestand: 4418

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
111CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

Teilbestand: 3691

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
111CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

Teilbestand: 3663

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
115CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

Teilbestand: 3629

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
112CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

Teilbestand: 3678

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
112CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

Teilbestand: 3654

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

Teilbestand: 3703

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
113CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

Teilbestand: 3655

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
110CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

Teilbestand: 3673

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
112CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

Teilbestand: 3657

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
111CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

Teilbestand: 3692

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 55A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 55A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

Teilbestand: 3680

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

Teilbestand: 3603

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

Teilbestand: 3660

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

Teilbestand: 3603

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

Teilbestand: 3691

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.