Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

MBRT200150

Teilbestand: 1643

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTR

Teilbestand: 971

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060

Teilbestand: 1363

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MUR30020CT

Teilbestand: 1118

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020

Teilbestand: 990

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MUR40040CTR

Teilbestand: 1247

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CTR

Teilbestand: 1311

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CT

Teilbestand: 1516

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A080

Teilbestand: 3862

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020R

Teilbestand: 997

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100R

Teilbestand: 1601

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030R

Teilbestand: 1342

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CT

Teilbestand: 1538

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CT

Teilbestand: 1162

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020R

Teilbestand: 1081

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBR40060CT

Teilbestand: 1224

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080R

Teilbestand: 1843

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBR50030CTR

Teilbestand: 1126

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A12

Teilbestand: 2471

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 120A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CT

Teilbestand: 1571

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100R

Teilbestand: 949

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 600A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020

Teilbestand: 1000

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT600150R

Teilbestand: 892

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

FST16030

Teilbestand: 1497

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 160A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 160A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200120(A)D

Teilbestand: 1326

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080R

Teilbestand: 1388

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300140(A)D

Teilbestand: 1362

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Powerex Inc.

LDR11666

Teilbestand: 41

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 660A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1978A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

UHB20FCT-E3/4W

Teilbestand: 44467

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPQ150PBF

Teilbestand: 13698

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30200C-E3/4W

Teilbestand: 26870

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

ON Semiconductor

NRVBD640CTG-VF01

Teilbestand: 107735

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Sensata-Crydom

F1892CCD400

Teilbestand: 927

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 90A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 270A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Micro Commercial Co

MD240C16D2-BP

Teilbestand: 1195

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

STMicroelectronics

STPS10170CT

Teilbestand: 67201

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 170V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

IXYS

DSS2X101-02A

Teilbestand: 2894

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.