Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

MBRT60040R

Teilbestand: 959

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 600A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

Teilbestand: 1239

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

Teilbestand: 1084

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

FST12080

Teilbestand: 1525

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

Teilbestand: 1065

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

Teilbestand: 1133

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

Teilbestand: 1485

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

Teilbestand: 1082

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

Teilbestand: 1091

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MURT10040

Teilbestand: 1273

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

Teilbestand: 985

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 600A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

Teilbestand: 992

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

Teilbestand: 3422

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

FST12030

Teilbestand: 1597

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

FST12040

Teilbestand: 1554

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-E3/4W

Teilbestand: 148724

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-M3/4W

Teilbestand: 142397

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120CHM3/I

Teilbestand: 72988

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1060C-M3/4W

Teilbestand: 152283

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045CBP-M3/4W

Teilbestand: 65447

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4045C-M3/4W

Teilbestand: 56553

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-M3/4W

Teilbestand: 115587

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-M3/4W

Teilbestand: 103984

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-M3/4W

Teilbestand: 73453

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045C-M3/4W

Teilbestand: 76935

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

SBR10200CT

Teilbestand: 179092

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

DD710N16KHPSA2

Teilbestand: 124

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 710A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 2500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Infineon Technologies

DD540N22KHPSA2

Teilbestand: 104

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 2200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 540A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.48V @ 1700A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Infineon Technologies

DD171N16KHPSA1

Teilbestand: 113

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 171A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.26V @ 500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Infineon Technologies

DD260N12KHPSA1

Teilbestand: 137

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 260A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.32V @ 800A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

Teilbestand: 1918

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Nexperia USA Inc.

PMEG6002TV,115

Teilbestand: 116897

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CTHMNG

Teilbestand: 164

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

Teilbestand: 51931

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

Teilbestand: 190167

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Diodes Incorporated

MBRF10150CT-JT

Teilbestand: 122752

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.