Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

MBR1060CT C0G

Teilbestand: 72

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CTHC0G

Teilbestand: 168

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1035CTHC0G

Teilbestand: 164

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40150PT C0G

Teilbestand: 98

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.01V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1004HC0G

Teilbestand: 158

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1003 C0G

Teilbestand: 151

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606HC0G

Teilbestand: 158

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1004G C0G

Teilbestand: 107

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20150CTHC0G

Teilbestand: 137

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.23V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150HC0G

Teilbestand: 126

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1550CTHC0G

Teilbestand: 162

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L60CTHC0G

Teilbestand: 167

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150PT C0G

Teilbestand: 72

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20150 C0G

Teilbestand: 144

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L100CT C0G

Teilbestand: 97

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15100CTHC0G

Teilbestand: 75

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004GHC0G

Teilbestand: 161

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2090CTHMNG

Teilbestand: 78

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050CTHMNG

Teilbestand: 111

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L120CT C0G

Teilbestand: 136

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDU300/06PBF

Teilbestand: 883

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 230A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.96V @ 300A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ060HN3

Teilbestand: 69129

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4C-M3/87A

Teilbestand: 192460

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01HM3/87A

Teilbestand: 178462

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6CHM3_A/I

Teilbestand: 183549

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH01HM3/86A

Teilbestand: 198211

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB3030CTL-M3

Teilbestand: 68901

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-48CTQ060STRR-M3

Teilbestand: 56322

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Comchip Technology

CDBD10100-G

Teilbestand: 135755

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Micro Commercial Co

MD36A16D1-BP

Teilbestand: 3149

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 36A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Rohm Semiconductor

DA228KFHT146

Teilbestand: 66

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

Teilbestand: 1232

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

Teilbestand: 811

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 500A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

Teilbestand: 1275

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Nexperia USA Inc.

PMEG3020CPASX

Teilbestand: 155154

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 440mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

DA5S101K0R

Teilbestand: 131149

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.