Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

MUN5232T1

Teilbestand: 2015

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSVDTA113EM3T5G

Teilbestand: 194382

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSBA124EF3T5G

Teilbestand: 122944

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSVDTC123JM3T5G

Teilbestand: 21685

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSBA114EF3T5G

Teilbestand: 186160

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

FJX4004RTF

Teilbestand: 2027

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

DDTB142JU-7-F

Teilbestand: 104716

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 470 Ohms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.

DDTC113ZE-7-F

Teilbestand: 136459

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

DDTA124XCA-7-F

Teilbestand: 194886

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

DDTC144TKA-7-F

Teilbestand: 1939

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

DDTC114WUA-7

Teilbestand: 2131

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

DDTA124XKA-7-F

Teilbestand: 1871

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTB123ES,126

Teilbestand: 1922

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTC123JK,115

Teilbestand: 1944

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTC124XS,126

Teilbestand: 1944

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

PBRP123YS,126

Teilbestand: 1944

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms,

Wunschzettel.

UNR412100A

Teilbestand: 1962

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V,

Wunschzettel.

UNR9218G0L

Teilbestand: 3199

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 510 Ohms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 5.1 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

DRA5114E0L

Teilbestand: 135606

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

UNR921TG0L

Teilbestand: 1921

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

UNR921DJ0L

Teilbestand: 119372

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

UNR521TG0L

Teilbestand: 2036

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

DRA2152Z0L

Teilbestand: 192654

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 510 Ohms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 5.1 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

UNR9212G0L

Teilbestand: 195761

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

UNR9210G0L

Teilbestand: 1952

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

UNR411200A

Teilbestand: 103552

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

UNR211100L

Teilbestand: 1992

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

RN1406S,LF(D

Teilbestand: 1944

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

Teilbestand: 2027

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

Teilbestand: 1975

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

DTD143EKT146

Teilbestand: 121232

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

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DTC643TKT146

Teilbestand: 190000

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

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DTC143ZKAT246

Teilbestand: 1983

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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