Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

PDTC123EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123EMB,315

Teilbestand: 163318

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTD114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD114EQAZ

Teilbestand: 189828

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA143XQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA143XQAZ

Teilbestand: 109011

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTB114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB114EQAZ

Teilbestand: 123069

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA143ZM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143ZM,315

Teilbestand: 119654

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTC114YQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC114YQAZ

Teilbestand: 100962

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTC144VMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144VMB,315

Teilbestand: 124898

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114EM,315

Teilbestand: 190834

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTC143TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143TMB,315

Teilbestand: 120761

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA115EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA115EMB,315

Teilbestand: 155778

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA124XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA124XMB,315

Teilbestand: 171934

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA144VM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144VM,315

Teilbestand: 120475

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
DTC143EMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC143EMFHAT2L

Teilbestand: 63

Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA143XEFRATL
Rohm Semiconductor

DTA143XEFRATL

Teilbestand: 140

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
DTC015EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC015EMT2L

Teilbestand: 149082

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DTD113ZCHZGT116
Rohm Semiconductor

DTD113ZCHZGT116

Teilbestand: 136

Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA114GUAT106
Rohm Semiconductor

DTA114GUAT106

Teilbestand: 109848

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
DTD113EKT146
Rohm Semiconductor

DTD113EKT146

Teilbestand: 138641

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.
DTC143TMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC143TMFHAT2L

Teilbestand: 96

Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.
DTC014EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC014EMT2L

Teilbestand: 129733

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DTA124TUAT106
Rohm Semiconductor

DTA124TUAT106

Teilbestand: 115377

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA114WUAT106
Rohm Semiconductor

DTA114WUAT106

Teilbestand: 154935

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA124EU3T106
Rohm Semiconductor

DTA124EU3T106

Teilbestand: 99

Transistortyp: PNP - Pre-Biased + Diode, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA023YMT2L
Rohm Semiconductor

DTA023YMT2L

Teilbestand: 100858

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DTA143XKAT146
Rohm Semiconductor

DTA143XKAT146

Teilbestand: 179232

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA023YUBTL
Rohm Semiconductor

DTA023YUBTL

Teilbestand: 141506

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DTA023JUBTL
Rohm Semiconductor

DTA023JUBTL

Teilbestand: 174314

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DTB123YUT106
Rohm Semiconductor

DTB123YUT106

Teilbestand: 136083

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA124ECAT116
Rohm Semiconductor

DTA124ECAT116

Teilbestand: 150496

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
DTB143ECT116
Rohm Semiconductor

DTB143ECT116

Teilbestand: 143123

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.
DTC123EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC123EMT2L

Teilbestand: 179511

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wunschzettel.
DTC943TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC943TUBTL

Teilbestand: 159354

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
UNRF2A100A
Panasonic Electronic Components

UNRF2A100A

Teilbestand: 144994

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor

DTA124EM3T5G

Teilbestand: 178141

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
NSVMMUN2135LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2135LT1G

Teilbestand: 135440

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
FJX4009RTF
ON Semiconductor

FJX4009RTF

Teilbestand: 2507

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.