Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

MPQ2484

Teilbestand: 12533

Transistortyp: 4 NPN (Quad), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO),

Wunschzettel.

MD7003B

Teilbestand: 4476

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 10V,

Wunschzettel.

MPQ2369

Teilbestand: 10973

Transistortyp: 4 NPN (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel.

CMKT3904 TR

Teilbestand: 164378

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.

STMicroelectronics

L6221AD013TR

Teilbestand: 4421

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A,

Wunschzettel.

STMicroelectronics

ULN2068B

Teilbestand: 26053

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A,

Wunschzettel.

STMicroelectronics

STD845DN40

Teilbestand: 4505

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V,

Wunschzettel.

CPH5504-TL-E

Teilbestand: 197322

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel.

NSS60100DMTTBG

Teilbestand: 164414

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

CPH6538-TL-H

Teilbestand: 120549

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Wunschzettel.

FFB3906

Teilbestand: 188837

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.

NSVT45010MW6T1G

Teilbestand: 147625

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel.

ULN2003V12T16-13

Teilbestand: 155544

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

Wunschzettel.

ZXTD4591AM832TA

Teilbestand: 6458

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

Wunschzettel.

MMDT4413-7-F

Teilbestand: 144827

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V,

Wunschzettel.

ZDT6790TC

Teilbestand: 4397

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V,

Wunschzettel.

ZDT690TC

Teilbestand: 4459

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.

DN0150ADJ-7

Teilbestand: 192795

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel.

ZXTDC3M832TA

Teilbestand: 4621

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V,

Wunschzettel.

ZDT6758TC

Teilbestand: 4490

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

Wunschzettel.