Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

XN0450500L

Teilbestand: 4640

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA / 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V / 200 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

XP0555300L

Teilbestand: 171227

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

UP0450100L

Teilbestand: 4476

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

XP0250100L

Teilbestand: 4386

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

Central Semiconductor Corp

DMA204A00R

Teilbestand: 127807

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-R7

Teilbestand: 10821

Transistortyp: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3nA,

Wunschzettel.

Analog Devices Inc.

MAT03FHZ

Teilbestand: 4412

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 36V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

Wunschzettel.

Analog Devices Inc.

SSM2220SZ

Teilbestand: 4484

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 36V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 36V,

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Texas Instruments

ULN2003AIDG4

Teilbestand: 101423

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

Wunschzettel.

Texas Instruments

ULN2003V12DR

Teilbestand: 103562

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

Wunschzettel.

Texas Instruments

ULN2003AINSR

Teilbestand: 177391

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

Wunschzettel.

CMLT3906E TR

Teilbestand: 4425

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.

Central Semiconductor Corp

CMXT3906 TR

Teilbestand: 108013

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.

ZHB6790TC

Teilbestand: 4462

Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.

ZDT751TC

Teilbestand: 4530

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

ZXTD617MCTA

Teilbestand: 138

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

Wunschzettel.

DMMT2907A-7

Teilbestand: 168515

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.

ZXTC4591AMCTA

Teilbestand: 178160

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

Wunschzettel.

MMDT4146-7

Teilbestand: 4600

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Wunschzettel.

ZDT619TC

Teilbestand: 4443

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.

ZXT12P20DXTA

Teilbestand: 4422

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

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ULN2002D1013TR

Teilbestand: 196893

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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ULN2805A

Teilbestand: 4469

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wunschzettel.

L604C

Teilbestand: 4425

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 90V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA,

Wunschzettel.

L6221CD

Teilbestand: 4458

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V,

Wunschzettel.