Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

DMC206E20R

Teilbestand: 145856

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V,

Wunschzettel.

XN0450400L

Teilbestand: 4657

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

XN0440200L

Teilbestand: 4456

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.

XP0553100L

Teilbestand: 4434

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V,

Wunschzettel.

DMC205C00R

Teilbestand: 149770

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

DMA502010R

Teilbestand: 194193

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

XN0440400L

Teilbestand: 4416

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

XN0553100L

Teilbestand: 4467

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V,

Wunschzettel.

XP0C30100L

Teilbestand: 4375

Transistortyp: NPN, PNP Complementary Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

Sanken

STA472A

Teilbestand: 23793

Transistortyp: 4 PNP Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V,

Wunschzettel.

SN75469NG4

Teilbestand: 123639

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

Wunschzettel.

SN75469DE4

Teilbestand: 118043

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

Wunschzettel.

ULN2004ADRG4

Teilbestand: 153464

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

Wunschzettel.

ULN2002ANE4

Teilbestand: 62618

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

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TT Electronics/Optek Technology

SN75469DR

Teilbestand: 192408

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

Wunschzettel.

HCT700TX

Teilbestand: 2560

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V,

Wunschzettel.

Nexperia USA Inc.

PEMX1,115

Teilbestand: 188298

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Wunschzettel.

Nexperia USA Inc.

PBSS4230PAN,115

Teilbestand: 193350

Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.

Nexperia USA Inc.

PBSS5350SS,115

Teilbestand: 144519

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 370mV @ 270mA, 2.7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.

Central Semiconductor Corp

MPQ2222

Teilbestand: 15005

Transistortyp: 4 NPN (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.

Central Semiconductor Corp

CMKT5088 TR

Teilbestand: 161458

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

Wunschzettel.

Central Semiconductor Corp

MPQ3906

Teilbestand: 15049

Transistortyp: 4 PNP (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.

Diodes Incorporated

DMB2227A-7

Teilbestand: 199611

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.

Diodes Incorporated

ZDT1048TC

Teilbestand: 4409

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 17.5V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

SNST3904DXV6T5G

Teilbestand: 106304

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.

MC1413BDR2G

Teilbestand: 196431

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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MMPQ6700

Teilbestand: 81112

Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.