Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

PUMD6,135

Teilbestand: 188048

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V,

Wunschzettel.

PEMD6,115

Teilbestand: 131920

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

PQMH13Z

Teilbestand: 176610

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

PUMB17,115

Teilbestand: 188634

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

PEMB30,115

Teilbestand: 138435

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wunschzettel.

PEMH30,115

Teilbestand: 190451

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Wunschzettel.

PQMD12Z

Teilbestand: 192753

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

PEMB4,115

Teilbestand: 117423

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

PEMD14,115

Teilbestand: 113653

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

PEMB2,115

Teilbestand: 121198

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

PUMH10,115

Teilbestand: 139980

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

EMD29T2R

Teilbestand: 117938

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 12V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel.

FMA1AT148

Teilbestand: 103432

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

EMA2T2R

Teilbestand: 164898

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

EMD6FHAT2R

Teilbestand: 125

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

EMD4T2R

Teilbestand: 130867

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

IMH21T110

Teilbestand: 127835

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.

DMA561040R

Teilbestand: 170407

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

DMG964030R

Teilbestand: 106574

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

DMA566050R

Teilbestand: 160839

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

DMC561020R

Teilbestand: 196522

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSVIMD10AMT1G

Teilbestand: 27

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 13 kOhms, 130 Ohms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

Wunschzettel.

NSVMUN5111DW1T3G

Teilbestand: 166215

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSVBC124EPDXV6T1G

Teilbestand: 133

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSVMUN5314DW1T3G

Teilbestand: 172202

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSBA124XDXV6T1G

Teilbestand: 140822

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSBC114TDXV6T1G

Teilbestand: 164848

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

MUN5132DW1T1G

Teilbestand: 128735

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

NSVBC114EDXV6T1G

Teilbestand: 179563

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

RN1905,LF(CT

Teilbestand: 103003

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

RN2903,LF(CT

Teilbestand: 185995

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

RN4609(TE85L,F)

Teilbestand: 95

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

RN2965(TE85L,F)

Teilbestand: 100

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

RN1502(TE85L,F)

Teilbestand: 162

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.