Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

XN0A31100L

XN0A31100L

Teilbestand: 1473

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
UP04210G0L

UP04210G0L

Teilbestand: 1485

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
XP0421400L

XP0421400L

Teilbestand: 1409

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
XP0121M00L

XP0121M00L

Teilbestand: 3225

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DMG264120R

DMG264120R

Teilbestand: 132052

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

Wunschzettel.
XN0A31200L

XN0A31200L

Teilbestand: 1435

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
UP0421600L

UP0421600L

Teilbestand: 1470

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
XN0121300L

XN0121300L

Teilbestand: 1399

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
UP0421000L

UP0421000L

Teilbestand: 1476

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
XN0431100L

XN0431100L

Teilbestand: 1396

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DMG264010R

DMG264010R

Teilbestand: 111444

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DMC561050R

DMC561050R

Teilbestand: 101821

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
MUN5236DW1T1G

MUN5236DW1T1G

Teilbestand: 90859

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
MUN5112DW1T1G

MUN5112DW1T1G

Teilbestand: 58075

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
NSBC123TDP6T5G

NSBC123TDP6T5G

Teilbestand: 120018

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
NSTB1003DXV5T1G

NSTB1003DXV5T1G

Teilbestand: 1527

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

Wunschzettel.
EMA6DXV5T5G

EMA6DXV5T5G

Teilbestand: 1485

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
NSBC114EPDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G

Teilbestand: 138112

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G

Teilbestand: 128956

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
UMA4NT1

UMA4NT1

Teilbestand: 1408

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
NSBA143ZDXV6T1

NSBA143ZDXV6T1

Teilbestand: 1412

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
SMUN5312DW1T1G

SMUN5312DW1T1G

Teilbestand: 126786

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DCX114YH-7

DCX114YH-7

Teilbestand: 104176

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
DCX100NS-7

DCX100NS-7

Teilbestand: 1443

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, 1 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 33 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
UMC5NQ-7

UMC5NQ-7

Teilbestand: 214

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
DDC144EH-7

DDC144EH-7

Teilbestand: 172395

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PBLS1503V,115

PBLS1503V,115

Teilbestand: 1388

Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 15V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

Wunschzettel.
PUMB1/DG/B3,115

PUMB1/DG/B3,115

Teilbestand: 1486

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PUMH7,115

PUMH7,115

Teilbestand: 182288

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.
PRMH13Z

PRMH13Z

Teilbestand: 199165

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
PUMB24,115

PUMB24,115

Teilbestand: 153021

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
UMF5NTR

UMF5NTR

Teilbestand: 165147

Transistortyp: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 12V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Wunschzettel.
IMD16AT108

IMD16AT108

Teilbestand: 131676

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.
IMD10AT108

IMD10AT108

Teilbestand: 169443

Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, 100 Ohms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

Wunschzettel.
RN1906,LF

RN1906,LF

Teilbestand: 1510

Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Teilbestand: 139401

Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.