Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

FDC6561AN

Teilbestand: 139456

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NVMFD5C680NLT1G

Teilbestand: 9923

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 13µA,

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FDS8947A

Teilbestand: 2987

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDML7610S

Teilbestand: 100177

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, 17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NTJD4152PT2G

Teilbestand: 174011

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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NTMD6N02R2G

Teilbestand: 152790

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.92A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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NVMD6N04R2G

Teilbestand: 160815

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NVMFD5C672NLT1G

Teilbestand: 262

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 30µA,

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FDMD8260LET60

Teilbestand: 41547

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NDS9952A

Teilbestand: 160596

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

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FDMS3622S

Teilbestand: 105683

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17.5A, 34A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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FDMS3610S

Teilbestand: 116056

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17.5A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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FDC6302P

Teilbestand: 184685

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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ECH8649-TL-H

Teilbestand: 2942

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

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ECH8601M-TL-H-P

Teilbestand: 2925

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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FDS9945

Teilbestand: 120654

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Central Semiconductor Corp

NTMFD4901NFT1G

Teilbestand: 126984

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.3A, 17.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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IXYS

GWM100-01X1-SLSAM

Teilbestand: 2795

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 250µA,

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CTLDM7120-M832DS TR

Teilbestand: 136453

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1mA,

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DMC3016LDV-7

Teilbestand: 175686

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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DMN3016LDV-7

Teilbestand: 157491

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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DMN63D8LDWQ-7

Teilbestand: 161902

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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DMN2004DWK-7

Teilbestand: 161664

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB56XNEAX

Teilbestand: 198127

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STS5DPF20L

Teilbestand: 89710

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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STMicroelectronics

STL20DNF06LAG

Teilbestand: 155965

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

STMicroelectronics

STL66DN3LLH5

Teilbestand: 78965

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 78.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Rohm Semiconductor

SH8K3TB1

Teilbestand: 55153

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

Teilbestand: 74468

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 64A, 145A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 35µA,

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SIZ350DT-T1-GE3

Teilbestand: 220

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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SI4590DY-T1-GE3

Teilbestand: 189788

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI3900DV-T1-GE3

Teilbestand: 169893

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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