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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Zener - Single

1N4752AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4752AHA0G

Teilbestand: 207

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Wunschzettel.
1N4756AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756AHA0G

Teilbestand: 161

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Wunschzettel.
1N4755AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755AHB0G

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Wunschzettel.
1N4746A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746A B0G

Teilbestand: 132

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Wunschzettel.
1N4759A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A A0G

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Wunschzettel.
1N4742A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742A B0G

Teilbestand: 132

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Wunschzettel.
1N4757A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4757A A0G

Teilbestand: 143

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Wunschzettel.
1N4758A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A B0G

Teilbestand: 178

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Wunschzettel.
1N4744A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744A A0G

Teilbestand: 194

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Wunschzettel.
1N4749A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749A R1G

Teilbestand: 209

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Wunschzettel.
1N4745A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745A B0G

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 16 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Wunschzettel.
1N4760AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760AHA0G

Teilbestand: 128

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 51.7V,

Wunschzettel.
1N4753AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753AHA0G

Teilbestand: 119

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Wunschzettel.
1M130ZHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130ZHB0G

Teilbestand: 191

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 130V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 700 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 98.8V,

Wunschzettel.
1M110Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M110Z R1G

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 110V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 450 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 83.6V,

Wunschzettel.
1N4744A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744A B0G

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Wunschzettel.
1N4746AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHB0G

Teilbestand: 160

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Wunschzettel.
1N4752AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4752AHB0G

Teilbestand: 151

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Wunschzettel.
1N4749AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749AHB0G

Teilbestand: 199

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Wunschzettel.
1N4751A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A B0G

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Wunschzettel.
1N4755AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755AHA0G

Teilbestand: 134

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Wunschzettel.
1N4747A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747A B0G

Teilbestand: 196

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Wunschzettel.
1M130Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130Z A0G

Teilbestand: 178

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 130V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 700 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 98.8V,

Wunschzettel.
1M120ZHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M120ZHA0G

Teilbestand: 137

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 120V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 550 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 91.2V,

Wunschzettel.
1N4755A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755A R1G

Teilbestand: 137

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Wunschzettel.
1N4748A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4748A A0G

Teilbestand: 176

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 23 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 16.7V,

Wunschzettel.
1N4741A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A A0G

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 14 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Wunschzettel.
1N4760A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760A R1G

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 51.7V,

Wunschzettel.
1M180Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180Z A0G

Teilbestand: 157

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 180V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 1200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 136.8V,

Wunschzettel.
1N4745A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4745A R1G

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Wunschzettel.
1N4762A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A A0G

Teilbestand: 165

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 82V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 62.2V,

Wunschzettel.
1N4754A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A B0G

Teilbestand: 193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Wunschzettel.
1N4757A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4757A B0G

Teilbestand: 146

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Wunschzettel.
1N4742AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742AHR1G

Teilbestand: 129

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Wunschzettel.
1M130ZHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130ZHA0G

Teilbestand: 124

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 130V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 700 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 98.8V,

Wunschzettel.
1N5384BRLG
ON Semiconductor

1N5384BRLG

Teilbestand: 169197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 160V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 5W, Impedanz (Max) (Zzt): 350 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 122V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A,

Wunschzettel.