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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Gleichrichter - Einzeln

1N6392
Microsemi Corporation

1N6392

Teilbestand: 1292

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 54A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
1N5418
Microsemi Corporation

1N5418

Teilbestand: 7362

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

Wunschzettel.
1N5614US
Microsemi Corporation

1N5614US

Teilbestand: 8563

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1C5711.T
SMC Diode Solutions

1C5711.T

Teilbestand: 89998

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
1N3214
GeneSiC Semiconductor

1N3214

Teilbestand: 12725

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
1N3891
GeneSiC Semiconductor

1N3891

Teilbestand: 11106

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel.
1N4585GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4585GP-E3/54

Teilbestand: 109973

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5060GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5060GP-E3/73

Teilbestand: 193106

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5621GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5621GP-E3/73

Teilbestand: 169835

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 300ns,

Wunschzettel.
1N5395GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5395GP-E3/54

Teilbestand: 105051

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5617GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5617GP-E3/54

Teilbestand: 133635

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

Wunschzettel.
1N5399GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GP-E3/54

Teilbestand: 155838

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5397GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397GP-E3/73

Teilbestand: 100734

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5615GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5615GP-E3/73

Teilbestand: 460

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

Wunschzettel.
1N5059GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5059GP-E3/54

Teilbestand: 191661

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5398GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5398GP-E3/54

Teilbestand: 182525

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5619GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5619GP-E3/54

Teilbestand: 141238

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

Wunschzettel.
1N5062GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062GP-E3/73

Teilbestand: 122193

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5393GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393GP-E3/73

Teilbestand: 175064

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5623GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5623GP-E3/54

Teilbestand: 178798

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel.
1N4384GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4384GP-E3/54

Teilbestand: 135645

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5399GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GP-E3/73

Teilbestand: 198817

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5060GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5060GP-E3/54

Teilbestand: 167326

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5393GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393GP-E3/54

Teilbestand: 190625

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5615GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5615GP-E3/54

Teilbestand: 179836

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

Wunschzettel.
1N5061GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5061GP-E3/54

Teilbestand: 199837

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N4383GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4383GP-E3/54

Teilbestand: 107301

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N4586GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/73

Teilbestand: 170139

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5617GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5617GP-E3/73

Teilbestand: 169713

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

Wunschzettel.
1N4384GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4384GP-E3/73

Teilbestand: 197188

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N4385GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4385GP-E3/54

Teilbestand: 124025

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5619GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5619GP-E3/73

Teilbestand: 173289

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

Wunschzettel.
1N5062GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062GP-E3/54

Teilbestand: 145128

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5397GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397GP-E3/54

Teilbestand: 132665

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
1N5621GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5621GP-E3/54

Teilbestand: 182712

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 300ns,

Wunschzettel.
1N5391GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5391GP-E3/54

Teilbestand: 126752

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.