Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

1N8032-GA

Teilbestand: 411

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2.5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

1N3765

Teilbestand: 9603

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 700V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2130A

Teilbestand: 13757

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3213R

Teilbestand: 9594

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5834R

Teilbestand: 5649

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 590mV @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3297A

Teilbestand: 3391

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3768

Teilbestand: 9899

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3211R

Teilbestand: 13605

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1188AR

Teilbestand: 14724

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1186R

Teilbestand: 14976

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3293A

Teilbestand: 3421

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1187R

Teilbestand: 11210

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3766

Teilbestand: 9596

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2133AR

Teilbestand: 9580

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3671AR

Teilbestand: 14489

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5832

Teilbestand: 5575

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N3208R

Teilbestand: 15260

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

150K100A

Teilbestand: 3461

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.33V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1183R

Teilbestand: 15035

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1202AR

Teilbestand: 15978

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N2133A

Teilbestand: 9591

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N5828

Teilbestand: 5643

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4595

Teilbestand: 3450

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N4592R

Teilbestand: 3417

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

1N1190R

Teilbestand: 16753

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5552US

Teilbestand: 5469

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

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Microsemi Corporation

1N4148UR-1E3

Teilbestand: 134

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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SMC Diode Solutions

1N4001TA

Teilbestand: 177323

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

120NQ035R-1

Teilbestand: 2701

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

12TQ040STR

Teilbestand: 130104

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

1N5406TA

Teilbestand: 138561

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

12TQ100STR

Teilbestand: 107331

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

1F7TA

Teilbestand: 135435

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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SMC Diode Solutions

129SPC135A

Teilbestand: 9447

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 135V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 870mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SMC Diode Solutions

123NQ080-1

Teilbestand: 2753

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 910mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

1N4531,143

Teilbestand: 172728

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

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