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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Gleichrichter - Einzeln

2A01-TP
Micro Commercial Co

2A01-TP

Teilbestand: 9446

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40V, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
301UR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

Teilbestand: 1468

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 330A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.22V @ 942A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
31GF6-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

Teilbestand: 107592

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel.
31GF4-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

Teilbestand: 111138

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel.
31GF4-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

Teilbestand: 170598

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel.
31GF6-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

Teilbestand: 162083

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel.
31GF4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

Teilbestand: 119879

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel.
31GF6-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

Teilbestand: 151354

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel.
31GF4-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

Teilbestand: 146657

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

Wunschzettel.
30BQ015TR
SMC Diode Solutions

30BQ015TR

Teilbestand: 104520

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
30WQ20FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ20FNTR

Teilbestand: 180665

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
30WQ03FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ03FNTR

Teilbestand: 186601

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
30BQ150TR
SMC Diode Solutions

30BQ150TR

Teilbestand: 132078

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
30BQ200TR
SMC Diode Solutions

30BQ200TR

Teilbestand: 126042

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
30WQ15FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ15FNTR

Teilbestand: 184192

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
30WQ04FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ04FNTR

Teilbestand: 198114

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 B0G

Teilbestand: 132

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HA0G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
31DF4 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 B0G

Teilbestand: 176

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel.
31DF4 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 A0G

Teilbestand: 130

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel.
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 A0G

Teilbestand: 149

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
31DF6 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 A0G

Teilbestand: 162

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel.
31DF6 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 B0G

Teilbestand: 172

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel.
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 A0G

Teilbestand: 94

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 B0G

Teilbestand: 100

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A100HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HA0G

Teilbestand: 156

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A100HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HB0G

Teilbestand: 186

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HB0G

Teilbestand: 147

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A100HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HR0G

Teilbestand: 206

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 R0G

Teilbestand: 158

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel.
3A60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 R0G

Teilbestand: 173

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A60HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HR0G

Teilbestand: 139

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
3A100 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 R0G

Teilbestand: 198

Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 R0G

Teilbestand: 195

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

Wunschzettel.
3SM8
Semtech Corporation

3SM8

Teilbestand: 3384

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.
3SM0
Semtech Corporation

3SM0

Teilbestand: 3037

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 2µs,

Wunschzettel.