Dioden - Gleichrichter - Einzeln

AS1PJHM3/84A

Teilbestand: 141434

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

Wunschzettel.

AS1PMHM3/85A

Teilbestand: 146010

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

Wunschzettel.

AR1PMHM3/84A

Teilbestand: 198788

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

Wunschzettel.

AR1PGHM3/85A

Teilbestand: 176541

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

Wunschzettel.

AS1PD-M3/85A

Teilbestand: 146048

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

Wunschzettel.

AU3PDHM3_A/I

Teilbestand: 127616

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel.

AU2PD-M3/87A

Teilbestand: 165269

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel.

AR4PK-M3/87A

Teilbestand: 197402

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

Wunschzettel.

AS4PJHM3_A/I

Teilbestand: 135205

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

Wunschzettel.

AS3PKHM3_A/H

Teilbestand: 177960

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

Wunschzettel.

AS4PJ-M3/87A

Teilbestand: 163634

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 962mV @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

Wunschzettel.

AS4PGHM3_A/I

Teilbestand: 135158

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

Wunschzettel.

AS3PK-M3/86A

Teilbestand: 171421

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

Wunschzettel.

AS3PJ-M3/86A

Teilbestand: 111920

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

Wunschzettel.

Diodes Incorporated

APD240VRTR-G1

Teilbestand: 136187

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30SCD120S

Teilbestand: 2766

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 99A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

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AU02V

Teilbestand: 178759

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

Wunschzettel.

AM01ZV

Teilbestand: 137335

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

AU01ZWK

Teilbestand: 177197

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 400ns,

Wunschzettel.

AM01ZV1

Teilbestand: 128647

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

AS01WK

Teilbestand: 147692

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 600mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 600mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

Wunschzettel.

AK 06WK

Teilbestand: 176280

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

AK 09V0

Teilbestand: 161511

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

ACDBCT3100-HF

Teilbestand: 189302

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

ACGRMS4007-HF

Teilbestand: 132218

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

ACGRKM4003-HF

Teilbestand: 115507

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

ACGRAT104L-HF

Teilbestand: 120103

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

ACDSW4448-HF

Teilbestand: 161241

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 4ns,

Wunschzettel.

A430PD

Teilbestand: 603

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1000A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.42V @ 3140A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 10µs,

Wunschzettel.

A437PB

Teilbestand: 650

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 600A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3.5µs,

Wunschzettel.

A190RP

Teilbestand: 1049

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

A190B

Teilbestand: 1243

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

A197PB

Teilbestand: 942

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

A190RM

Teilbestand: 1099

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.