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RFQs / Order.
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Transistoren - IGBTs - Single

IRG8CH137K10F
Infineon Technologies

IRG8CH137K10F

Teilbestand: 3631

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
IGC27T120T8LX1SA2
Infineon Technologies

IGC27T120T8LX1SA2

Teilbestand: 116

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 25A,

Wunschzettel.
IRG8CH97K10F
Infineon Technologies

IRG8CH97K10F

Teilbestand: 4862

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
IGC18T120T8QX1SA1
Infineon Technologies

IGC18T120T8QX1SA1

Teilbestand: 154

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 15A,

Wunschzettel.
IRG8CH50K10F
Infineon Technologies

IRG8CH50K10F

Teilbestand: 8584

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
IGC36T120T8LX1SA1
Infineon Technologies

IGC36T120T8LX1SA1

Teilbestand: 99

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 105A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 35A,

Wunschzettel.
IKW40N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKW40N65ES5XKSA1

Teilbestand: 14683

IGBT-Typ: Trench, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 79A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Leistung max: 230W,

Wunschzettel.
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Teilbestand: 13989

IGBT-Typ: Trench, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 37A, Leistung max: 200W,

Wunschzettel.
RJH60F0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60F0DPK-00#T0

Teilbestand: 18399

IGBT-Typ: Trench, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A, Leistung max: 201.6W,

Wunschzettel.
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJP60D0DPK-00#T0

Teilbestand: 22130

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A, Leistung max: 140W,

Wunschzettel.
IXGH4N250C
IXYS

IXGH4N250C

Teilbestand: 4672

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2500V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 13A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 46A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A, Leistung max: 150W,

Wunschzettel.
IXYL40N250CV1
IXYS

IXYL40N250CV1

Teilbestand: 1018

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2500V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 400A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A, Leistung max: 577W,

Wunschzettel.
IXYA8N90C3D1
IXYS

IXYA8N90C3D1

Teilbestand: 20138

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 48A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Leistung max: 125W,

Wunschzettel.
IXGH28N120BD1
IXYS

IXGH28N120BD1

Teilbestand: 5867

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A, Leistung max: 250W,

Wunschzettel.
IXGX75N250
IXYS

IXGX75N250

Teilbestand: 965

IGBT-Typ: NPT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2500V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 170A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 530A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A, Leistung max: 780W,

Wunschzettel.
IXBL64N250
IXYS

IXBL64N250

Teilbestand: 1346

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2500V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 116A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 750A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A, Leistung max: 500W,

Wunschzettel.
IXYX25N250CV1HV
IXYS

IXYX25N250CV1HV

Teilbestand: 1951

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2500V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 95A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 235A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Leistung max: 937W,

Wunschzettel.
IXGH48N60C3
IXYS

IXGH48N60C3

Teilbestand: 12225

IGBT-Typ: PT, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 250A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Leistung max: 300W,

Wunschzettel.
STGP14NC60KD
STMicroelectronics

STGP14NC60KD

Teilbestand: 45549

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 50A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Leistung max: 80W,

Wunschzettel.
STGWT80V60DF
STMicroelectronics

STGWT80V60DF

Teilbestand: 8451

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Leistung max: 469W,

Wunschzettel.
STGWT80H65DFB
STMicroelectronics

STGWT80H65DFB

Teilbestand: 9828

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Leistung max: 469W,

Wunschzettel.
STGWF30NC60S
STMicroelectronics

STGWF30NC60S

Teilbestand: 19536

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Leistung max: 79W,

Wunschzettel.
STGFW30V60DF
STMicroelectronics

STGFW30V60DF

Teilbestand: 17582

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Leistung max: 58W,

Wunschzettel.
STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics

STGB10NB37LZT4

Teilbestand: 53513

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 440V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A, Leistung max: 125W,

Wunschzettel.
STGB19NC60KDT4
STMicroelectronics

STGB19NC60KDT4

Teilbestand: 27116

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A, Leistung max: 125W,

Wunschzettel.
STGF20NB60S
STMicroelectronics

STGF20NB60S

Teilbestand: 24023

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 24A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 70A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Leistung max: 40W,

Wunschzettel.
STGW35NB60SD
STMicroelectronics

STGW35NB60SD

Teilbestand: 12594

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 250A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Leistung max: 200W,

Wunschzettel.
STGB18N40LZT4
STMicroelectronics

STGB18N40LZT4

Teilbestand: 81563

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 420V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A, Leistung max: 150W,

Wunschzettel.
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

Teilbestand: 43676

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Wunschzettel.
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

Teilbestand: 13542

IGBT-Typ: NPT and Trench, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Leistung max: 312W,

Wunschzettel.
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

Teilbestand: 7369

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Leistung max: 480W,

Wunschzettel.
RGTH40TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

Teilbestand: 25319

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Leistung max: 144W,

Wunschzettel.
RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

Teilbestand: 14392

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 85A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Leistung max: 277W,

Wunschzettel.
RGPR30NS40HRTL
Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

Teilbestand: 77

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 430V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Leistung max: 125W,

Wunschzettel.
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

Teilbestand: 110

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 33A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 72W,

Wunschzettel.
MGD623N
Sanken

MGD623N

Teilbestand: 30626

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Leistung max: 150W,

Wunschzettel.