Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2SAR544PT100

Teilbestand: 169798

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

2SCR533PT100

Teilbestand: 167101

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

2SCR372P5T100R

Teilbestand: 186616

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

2SD1898T100Q

Teilbestand: 107860

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

2DA1971-7

Teilbestand: 127329

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

2SB1122S-TD-E

Teilbestand: 134397

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

2SC5200OTU

Teilbestand: 25733

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 17A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

2SC6144SG

Teilbestand: 101772

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 270mA, 2V,

2N6487G

Teilbestand: 74792

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V,

2SA1943OTU

Teilbestand: 26007

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 17A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

2N6042G

Teilbestand: 89393

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

2N6288G

Teilbestand: 76309

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V,

2SD2413G0L

Teilbestand: 136665

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V,

2SC57880PA

Teilbestand: 154694

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V,

2SC6011A

Teilbestand: 14770

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

2SC6145

Teilbestand: 17795

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 4V,

2SA1725

Teilbestand: 41691

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2A, 4V,

2SA2151A

Teilbestand: 15204

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

2SC4467

Teilbestand: 28260

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

2SD2560

Teilbestand: 19908

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 10A, 4V,

2SC2837

Teilbestand: 23948

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3V, 4V,

2N2102

Teilbestand: 4428

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N5308

Teilbestand: 79675

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

2N6107

Teilbestand: 45565

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V,

2N335ALT2

Teilbestand: 7158

2N333LT2

Teilbestand: 7176

2N333ALT2

Teilbestand: 7132

2N336AT2

Teilbestand: 7138

2N335AT2

Teilbestand: 7141

2N335LT2

Teilbestand: 7098

2N336LT2

Teilbestand: 7174

2N335T2

Teilbestand: 6713

2N336ALT2

Teilbestand: 7121

2N333AT2

Teilbestand: 7154

2N333T2

Teilbestand: 7179

2N336T2

Teilbestand: 7138