Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

2SD12710P

Teilbestand: 5578

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SD12700P

Teilbestand: 5590

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 2A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SD12680P

Teilbestand: 5591

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SD12670P

Teilbestand: 5659

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

2SD1266AP

Teilbestand: 5600

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

2SD1263AQ

Teilbestand: 5617

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 750mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 300mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SD12660P

Teilbestand: 5593

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

2SD0946AR

Teilbestand: 5584

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SC4960

Teilbestand: 5607

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 40mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 500mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC59540Q

Teilbestand: 5595

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

2SC4420

Teilbestand: 5576

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 800mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC4559

Teilbestand: 5618

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC4004

Teilbestand: 6586

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 40mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 500mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC3979A

Teilbestand: 5602

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 800mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC3975

Teilbestand: 5586

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 6A, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC3979

Teilbestand: 5606

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 160mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 800mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC3974

Teilbestand: 5657

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 4A, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC3506

Teilbestand: 5620

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SC3507

Teilbestand: 5644

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SB12990P

Teilbestand: 5656

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 4V,

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Panasonic Electronic Components

2SB1623AP

Teilbestand: 5626

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V,

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Panasonic Electronic Components

2SB11560P

Teilbestand: 5583

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2A, 20A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SB10630P

Teilbestand: 5613

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SB11540Q

Teilbestand: 5600

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SB10540P

Teilbestand: 5579

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SB0953AQ

Teilbestand: 5636

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 160mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 2A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SB0948AP

Teilbestand: 5598

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 330mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SB09510P

Teilbestand: 5649

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 4A, 3V,

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Panasonic Electronic Components

2SB09480P

Teilbestand: 5566

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 330mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

2SB09460P

Teilbestand: 6582

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 3A, 2V,

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

2SB09440P

Teilbestand: 5591

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

Teilbestand: 5659

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Central Semiconductor Corp

2N3702

Teilbestand: 14039

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50µA, 5V,

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STMicroelectronics

2SB772

Teilbestand: 6632

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

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ON Semiconductor

2SC4081RT1G

Teilbestand: 5636

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

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ON Semiconductor

2SA1576ART1G

Teilbestand: 5652

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

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