Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2SC51210P

2SC51210P

Teilbestand: 5442

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
2SC4953

2SC4953

Teilbestand: 5493

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1.2A, 2V,

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2SC4212H

2SC4212H

Teilbestand: 5443

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V,

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2SC3943

2SC3943

Teilbestand: 6574

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V,

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2SC3942

2SC3942

Teilbestand: 5497

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 50V,

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2SC3611

2SC3611

Teilbestand: 5483

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V,

Wunschzettel.
2SC2988

2SC2988

Teilbestand: 5412

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 13.5V,

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2SC25900Q

2SC25900Q

Teilbestand: 5429

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V,

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2SC19530S

2SC19530S

Teilbestand: 5462

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

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2SC2497AQ

2SC2497AQ

Teilbestand: 5484

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

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2SC18470Q

2SC18470Q

Teilbestand: 5484

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Wunschzettel.
2SC18460S

2SC18460S

Teilbestand: 6564

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V,

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2SB0951AQ

2SB0951AQ

Teilbestand: 6571

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 4A, 3V,

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2SC1567AR

2SC1567AR

Teilbestand: 6605

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
2SB0950AP

2SB0950AP

Teilbestand: 5491

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V,

Wunschzettel.
2SB0949AQ

2SB0949AQ

Teilbestand: 5408

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V,

Wunschzettel.
2SB09430P

2SB09430P

Teilbestand: 5421

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.
2SB0940AP

2SB0940AP

Teilbestand: 6588

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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2SB1011

2SB1011

Teilbestand: 5426

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V,

Wunschzettel.
2SB1548AP

2SB1548AP

Teilbestand: 6616

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

Wunschzettel.
2SA09000R

2SA09000R

Teilbestand: 5457

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.
2SA08860Q

2SA08860Q

Teilbestand: 5458

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Wunschzettel.
2SA08850R

2SA08850R

Teilbestand: 5669

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V,

Wunschzettel.
2SA0794AR

2SA0794AR

Teilbestand: 5427

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
2SA1535AR

2SA1535AR

Teilbestand: 5448

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
2SA11100Q

2SA11100Q

Teilbestand: 5491

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
2SD132800L

2SD132800L

Teilbestand: 5418

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

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2SD0601A0L

2SD0601A0L

Teilbestand: 5422

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.
2SD0602A0L

2SD0602A0L

Teilbestand: 5403

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

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2SD217700A

2SD217700A

Teilbestand: 5431

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

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2SD2177A0A

2SD2177A0A

Teilbestand: 5463

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

Wunschzettel.
2SD1991A0A

2SD1991A0A

Teilbestand: 5492

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

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2SD1819A0L

2SD1819A0L

Teilbestand: 5478

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

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2SD1820A0L

2SD1820A0L

Teilbestand: 5490

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

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2SC248000L

2SC248000L

Teilbestand: 5417

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V,

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2SB0710A0L

2SB0710A0L

Teilbestand: 5441

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

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