Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

ON Semiconductor

2N4400TFR

Teilbestand: 5166

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

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ON Semiconductor

2N4401NLBU

Teilbestand: 5161

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

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ON Semiconductor

2N4123TF

Teilbestand: 5156

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

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ON Semiconductor

2N3904CBU

Teilbestand: 5202

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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ON Semiconductor

2N4125_S00Z

Teilbestand: 5167

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

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ON Semiconductor

2N5655G

Teilbestand: 116332

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV,

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ON Semiconductor

2N4403RLRAG

Teilbestand: 6511

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SC48050QL

Teilbestand: 5186

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V,

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Panasonic Electronic Components

2SD08740RL

Teilbestand: 5149

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SC26310RA

Teilbestand: 5168

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SB1463JRL

Teilbestand: 6554

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SD12690P

Teilbestand: 5731

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SD16330P

Teilbestand: 5178

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 3V,

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Panasonic Electronic Components

2SD2420AP

Teilbestand: 5120

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V,

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Panasonic Electronic Components

2SD12630P

Teilbestand: 5125

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 750mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 300mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SC3743

Teilbestand: 5121

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 160mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 100mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SB0947AP

Teilbestand: 5118

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 230mA, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 2A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SB09420P

Teilbestand: 5107

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

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Panasonic Electronic Components

2SB09450Q

Teilbestand: 5152

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 2A, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SC59930P

Teilbestand: 5169

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

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Panasonic Electronic Components

2SB09700SL

Teilbestand: 5180

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SD25980RA

Teilbestand: 5104

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 500mA, 10V,

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Panasonic Electronic Components

2SD22490RA

Teilbestand: 5120

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SB09700RL

Teilbestand: 5118

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

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Panasonic Electronic Components

2SA07770R

Teilbestand: 5114

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

2SD18240RL

Teilbestand: 5137

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

2SD11490SL

Teilbestand: 5133

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

2SB0789ARL

Teilbestand: 5119

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

2SB1030A

Teilbestand: 5163

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

2SC3311A0A

Teilbestand: 6536

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.

Rohm Semiconductor

2SD2396K

Teilbestand: 5175

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 4V,

Wunschzettel.

Rohm Semiconductor

2SD2167T100P

Teilbestand: 5142

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 31V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V,

Wunschzettel.

Rohm Semiconductor

2SC4620TV2P

Teilbestand: 5168

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

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Rohm Semiconductor

2SC5731T100R

Teilbestand: 6524

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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Rohm Semiconductor

2N3904T93

Teilbestand: 5099

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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STMicroelectronics

2N5657

Teilbestand: 5118

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V,

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