Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

APT27ZTR-G1

Teilbestand: 145

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 10V,

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AC857BQ-7

Teilbestand: 193

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

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APT13005STF-G1

Teilbestand: 93966

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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APT13003SU-G1

Teilbestand: 170361

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

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APT13005DT-G1

Teilbestand: 177892

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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APT13003EU-G1

Teilbestand: 155838

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 465V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V,

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APT13003HZTR-G1

Teilbestand: 140796

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 465V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

APT13003DZTR-G1

Teilbestand: 106044

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

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APT27HZTR-G1

Teilbestand: 185110

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V,

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APT13003DI-G1

Teilbestand: 133240

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.

APT13005SU-G1

Teilbestand: 152583

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

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APT17NTR-G1

Teilbestand: 164534

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 480V, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 20V,

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APT13005SI-G1

Teilbestand: 171737

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Wunschzettel.

APT13003NZTR-G1

Teilbestand: 108878

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.

APT13005DTF-G1

Teilbestand: 198220

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Wunschzettel.

APT13005DI-G1

Teilbestand: 107504

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Wunschzettel.

APT13003HU-G1

Teilbestand: 146547

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 465V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V,

Wunschzettel.

APT13003DU-G1

Teilbestand: 152565

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V,

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AML2002

Teilbestand: 6672

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 220mV @ 35mA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

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BD239CTU

Teilbestand: 117849

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

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BD236STU

Teilbestand: 135657

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

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BSS64LT1G

Teilbestand: 165078

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V,

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BCP53-10T1G

Teilbestand: 188748

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

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BCP56-10T3G

Teilbestand: 186429

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

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BC847CLT3G

Teilbestand: 127830

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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BDW94CFTU

Teilbestand: 187567

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

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BC858ALT1G

Teilbestand: 179700

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

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BSP52T3G

Teilbestand: 107452

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

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BC516-D27Z

Teilbestand: 34

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V,

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BC559BTA

Teilbestand: 102789

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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BC847BT116

Teilbestand: 103695

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO),

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BC857BT116

Teilbestand: 106220

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

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BC858BT116

Teilbestand: 181449

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

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BC847BHZGT116

Teilbestand: 71

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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