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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

BC807K-16R
Nexperia USA Inc.

BC807K-16R

Teilbestand: 145

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BC817K-16R
Nexperia USA Inc.

BC817K-16R

Teilbestand: 140

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BC807K-25VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-25VL

Teilbestand: 147

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BC817K-40R
Nexperia USA Inc.

BC817K-40R

Teilbestand: 211

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BCP56TF
Nexperia USA Inc.

BCP56TF

Teilbestand: 146

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Wunschzettel.
BC817K-25VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-25VL

Teilbestand: 207

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BC817K-25R
Nexperia USA Inc.

BC817K-25R

Teilbestand: 182

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BC807K-40R
Nexperia USA Inc.

BC807K-40R

Teilbestand: 178

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BCP56-10TF
Nexperia USA Inc.

BCP56-10TF

Teilbestand: 194

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Wunschzettel.
BC807K-40VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-40VL

Teilbestand: 219

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BC817K-16VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-16VL

Teilbestand: 174

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BC817K-40VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-40VL

Teilbestand: 143

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BC807K-16VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-16VL

Teilbestand: 141

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Wunschzettel.
BDX34C
STMicroelectronics

BDX34C

Teilbestand: 91615

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Wunschzettel.
BU931P
STMicroelectronics

BU931P

Teilbestand: 23962

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

Wunschzettel.
BUT30V
STMicroelectronics

BUT30V

Teilbestand: 2858

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 125V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 10A, 100A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 27 @ 100A, 5V,

Wunschzettel.
BD237
STMicroelectronics

BD237

Teilbestand: 83226

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.
BDW93CFP
STMicroelectronics

BDW93CFP

Teilbestand: 47874

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

Wunschzettel.
BD239C
STMicroelectronics

BD239C

Teilbestand: 186503

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Wunschzettel.
BCP53-16
STMicroelectronics

BCP53-16

Teilbestand: 172006

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Wunschzettel.
BUL98
STMicroelectronics

BUL98

Teilbestand: 45196

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V,

Wunschzettel.
BUL743
STMicroelectronics

BUL743

Teilbestand: 40937

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 500V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 2A, 3V,

Wunschzettel.
BDX53B
STMicroelectronics

BDX53B

Teilbestand: 161752

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Wunschzettel.
BD135-16
STMicroelectronics

BD135-16

Teilbestand: 120414

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Wunschzettel.
BUTW92
STMicroelectronics

BUTW92

Teilbestand: 9504

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 15A, 60A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 60A, 3V,

Wunschzettel.
BUL49D
STMicroelectronics

BUL49D

Teilbestand: 143616

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 7A, 10V,

Wunschzettel.
BD136-16
STMicroelectronics

BD136-16

Teilbestand: 195392

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Wunschzettel.
BUL654
STMicroelectronics

BUL654

Teilbestand: 115888

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1.4A, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 6A, 2V,

Wunschzettel.
BUL1203EFP
STMicroelectronics

BUL1203EFP

Teilbestand: 76398

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 550V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 2A, 5V,

Wunschzettel.
BDX53C
STMicroelectronics

BDX53C

Teilbestand: 161808

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Wunschzettel.
BD139-10
STMicroelectronics

BD139-10

Teilbestand: 155893

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Wunschzettel.
BDX54C
STMicroelectronics

BDX54C

Teilbestand: 203

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Wunschzettel.
BD677
STMicroelectronics

BD677

Teilbestand: 89386

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Wunschzettel.
BULB49DT4
STMicroelectronics

BULB49DT4

Teilbestand: 181203

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 7A, 10V,

Wunschzettel.
BDX33C
STMicroelectronics

BDX33C

Teilbestand: 71859

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Wunschzettel.
BD13516STU
ON Semiconductor

BD13516STU

Teilbestand: 164732

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Wunschzettel.