Dioden - Brückengleichrichter | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

APTDC10H601G

Teilbestand: 8792

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT40DC120HJ

Teilbestand: 386

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 800µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT20DC120HJ

Teilbestand: 918

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 400µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT60DF20HJ

Teilbestand: 4759

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APT06DC60HJ

Teilbestand: 8736

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT60DS20HJ

Teilbestand: 8775

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APT75DL60HJ

Teilbestand: 8758

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 75A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT60DS04HJ

Teilbestand: 8748

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 30mA @ 45V,

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Microsemi Corporation

APT60DS10HJ

Teilbestand: 8788

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 910mV @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2mA @ 100V,

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Microsemi Corporation

APT60DF100HJ

Teilbestand: 8782

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1000V,

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Microsemi Corporation

APT60DF120HJ

Teilbestand: 8700

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 90A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 60A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT40DS10HJ

Teilbestand: 8706

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 100V,

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Microsemi Corporation

APT50DL120HJ

Teilbestand: 8760

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 50A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT40DS04HJ

Teilbestand: 8718

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20mA @ 45V,

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Microsemi Corporation

APT35DL120HJ

Teilbestand: 8751

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 35A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT30DS20HJ

Teilbestand: 8719

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 45A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 200V,

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Microsemi Corporation

APT30DL60HJ

Teilbestand: 8740

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APT10DC120HJ

Teilbestand: 1647

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT30DF120HJ

Teilbestand: 8670

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 45A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 30A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APT50DL60HJ

Teilbestand: 2895

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 50A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDF100H60G

Teilbestand: 8625

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 135A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 250µA @ 600V,

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Microsemi Corporation

APTDC40H1201G

Teilbestand: 470

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 40A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 800µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APTDR70X1601G

Teilbestand: 8688

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 70A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1600V,

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Microsemi Corporation

APTDF200H20G

Teilbestand: 8616

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 285A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 200A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 150µA @ 1200V,

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Microsemi Corporation

APTDF100H120G

Teilbestand: 8610

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

APTDF100H1201G

Teilbestand: 2888

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3V @ 100A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

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Comchip Technology

ABS10-HF

Teilbestand: 181626

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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Diodes Incorporated

ABS10B-13

Teilbestand: 192431

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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Diodes Incorporated

ABS210-13

Teilbestand: 139912

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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SMC Diode Solutions

ABS10TR

Teilbestand: 122888

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 800mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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SMC Diode Solutions

ABS210TR

Teilbestand: 113879

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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SMC Diode Solutions

ABS26TR

Teilbestand: 163995

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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SMC Diode Solutions

ABF26TR

Teilbestand: 157200

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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SMC Diode Solutions

ABF6UTR

Teilbestand: 171488

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ABS8 REG

Teilbestand: 24395

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ABS10 REG

Teilbestand: 21563

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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