Dioden - Brückengleichrichter | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

B2S-E3/80

Teilbestand: 193984

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 500mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

B4S-E3/80

Teilbestand: 136530

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 500mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

B6S-E3/80

Teilbestand: 112949

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 500mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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Comchip Technology

B4S-G

Teilbestand: 196188

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 800mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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Comchip Technology

B10S-G

Teilbestand: 107944

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 800mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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Infineon Technologies

BAS4002ARPPE6327HTSA1

Teilbestand: 69425

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 100mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 40V,

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Infineon Technologies

BGX50AE6327HTSA1

Teilbestand: 114942

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 70V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 140mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 500V,

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Infineon Technologies

BAS3007ARPPE6327HTSA1

Teilbestand: 109247

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 900mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 350µA @ 30V,

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GeneSiC Semiconductor

KBL406G

Teilbestand: 197055

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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GeneSiC Semiconductor

KBPC35010T

Teilbestand: 37027

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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GeneSiC Semiconductor

KBPC2501W

Teilbestand: 46680

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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GeneSiC Semiconductor

KBPC5010W

Teilbestand: 27723

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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GeneSiC Semiconductor

GBL01

Teilbestand: 123983

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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GeneSiC Semiconductor

KBPC1510T

Teilbestand: 49409

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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GeneSiC Semiconductor

KBPC3501W

Teilbestand: 43931

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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GeneSiC Semiconductor

KBPC2510W

Teilbestand: 46697

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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GeneSiC Semiconductor

DB105G

Teilbestand: 151254

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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GeneSiC Semiconductor

KBPC5002W

Teilbestand: 27742

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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GeneSiC Semiconductor

GBPC1504T

Teilbestand: 46744

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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GeneSiC Semiconductor

GBU15J

Teilbestand: 84787

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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GeneSiC Semiconductor

GBU10J

Teilbestand: 98723

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

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GeneSiC Semiconductor

DB104G

Teilbestand: 199297

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GeneSiC Semiconductor

KBL410G

Teilbestand: 138116

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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GeneSiC Semiconductor

KBU1004

Teilbestand: 87799

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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GeneSiC Semiconductor

KBU8D

Teilbestand: 101

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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Sensata-Crydom

M5060TB1400

Teilbestand: 1003

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 50A,

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SMC Diode Solutions

DB156STR

Teilbestand: 116496

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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SMC Diode Solutions

GBU802GTB

Teilbestand: 196376

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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SMC Diode Solutions

UG3KB40GTB

Teilbestand: 167017

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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SMC Diode Solutions

MB2FTR

Teilbestand: 174810

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 800mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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SMC Diode Solutions

UG3KB10GTB

Teilbestand: 187903

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

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SMC Diode Solutions

GBPC3504TA

Teilbestand: 38250

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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SMC Diode Solutions

UG4KB80TB

Teilbestand: 132902

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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SMC Diode Solutions

GBJ2002TB

Teilbestand: 131051

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

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Micro Commercial Co

MD160S16M5-BP

Teilbestand: 1458

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 160A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 1600V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P03GHD2G

Teilbestand: 46

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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