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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Brückengleichrichter

2KBP04ML-6212E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04ML-6212E4/51

Teilbestand: 8756

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
2KBP02ML-6192E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02ML-6192E4/72

Teilbestand: 8742

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
2KBP04M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/72

Teilbestand: 8827

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
2KBP02ML-5301E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02ML-5301E4/72

Teilbestand: 8755

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
2KBP02M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/72

Teilbestand: 8792

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
2KBP01M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/72

Teilbestand: 8774

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
2KBP01M-10E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-10E4/51

Teilbestand: 8821

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
2KBP005M-E4/72
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/72

Teilbestand: 2874

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
2KBP10M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-M4/51

Teilbestand: 8734

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
2KBP08M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-M4/51

Teilbestand: 8774

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
2KBP06M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-M4/51

Teilbestand: 8798

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
2KBP04M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-M4/51

Teilbestand: 8747

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
2KBP005M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-M4/51

Teilbestand: 8740

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
2KBP10ML-6767E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10ML-6767E4/51

Teilbestand: 8731

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
2KBP08M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/45

Teilbestand: 8714

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
2KBP10M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP10M-E4/45

Teilbestand: 8663

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
2KBP02M-M4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-M4/51

Teilbestand: 8663

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
2KBP06M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP06M-E4/45

Teilbestand: 2923

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
2KBP02M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP02M-E4/45

Teilbestand: 8636

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
2KBP04M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP04M-E4/45

Teilbestand: 8705

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
2KBP005M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP005M-E4/45

Teilbestand: 8640

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
2KBP01M-E4/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP01M-E4/45

Teilbestand: 8716

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
2KBP08M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

2KBP08M-E4/51

Teilbestand: 98957

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3.14A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
2W08M
GeneSiC Semiconductor

2W08M

Teilbestand: 175353

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
2W10M
GeneSiC Semiconductor

2W10M

Teilbestand: 150045

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
2W06M
GeneSiC Semiconductor

2W06M

Teilbestand: 102885

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
2W04M
GeneSiC Semiconductor

2W04M

Teilbestand: 161650

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
2W02M
GeneSiC Semiconductor

2W02M

Teilbestand: 116863

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
2W005M
GeneSiC Semiconductor

2W005M

Teilbestand: 108008

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
2W01M
GeneSiC Semiconductor

2W01M

Teilbestand: 114521

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
2W02G
ON Semiconductor

2W02G

Teilbestand: 8699

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
2W10G
ON Semiconductor

2W10G

Teilbestand: 8580

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
2W08G
ON Semiconductor

2W08G

Teilbestand: 8572

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
2W04G
ON Semiconductor

2W04G

Teilbestand: 8604

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
2W01G
ON Semiconductor

2W01G

Teilbestand: 8589

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
2W005G
ON Semiconductor

2W005G

Teilbestand: 8578

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.