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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

Teilbestand: 125578

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

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DMG4800LSD-13
Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

Teilbestand: 135796

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

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DMN2016UTS-13
Diodes Incorporated

DMN2016UTS-13

Teilbestand: 168999

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.58A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMC2004VK-7
Diodes Incorporated

DMC2004VK-7

Teilbestand: 152592

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 670mA, 530mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMP2160UFDB-7
Diodes Incorporated

DMP2160UFDB-7

Teilbestand: 170482

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated

DMP3085LSD-13

Teilbestand: 197990

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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DMG1026UV-7
Diodes Incorporated

DMG1026UV-7

Teilbestand: 118631

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.8V @ 250µA,

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DMC2004DWK-7
Diodes Incorporated

DMC2004DWK-7

Teilbestand: 194049

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated

DMN6040SSDQ-13

Teilbestand: 115786

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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DMP210DUDJ-7
Diodes Incorporated

DMP210DUDJ-7

Teilbestand: 191309

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.15V @ 250µA,

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DMN601DWK-7
Diodes Incorporated

DMN601DWK-7

Teilbestand: 176941

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 305mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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DMN5L06DMK-7
Diodes Incorporated

DMN5L06DMK-7

Teilbestand: 107540

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 305mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMN2050LFDB-7
Diodes Incorporated

DMN2050LFDB-7

Teilbestand: 105819

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMN2004DMK-7
Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

Teilbestand: 125678

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMC2400UV-7
Diodes Incorporated

DMC2400UV-7

Teilbestand: 138188

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.03A, 700mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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DMG1016V-7
Diodes Incorporated

DMG1016V-7

Teilbestand: 107374

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 870mA, 640mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMG5802LFX-7
Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

Teilbestand: 173089

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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