Erinnerung

MT28F400B5WG-8 T TR

Teilbestand: 3213

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

MT46V16M8P-6T:D

Teilbestand: 5931

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F400B3SG-8 TET

Teilbestand: 2846

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

MT28F640J3RP-115 ET TR

Teilbestand: 3818

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT46V64M16TG-75:A

Teilbestand: 7483

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC32M4A2P-7E:G

Teilbestand: 107

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (32M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

MTFC256GBAOANAM-WT TR

Teilbestand: 34

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Tb (256G x 8),

MT28F800B3SG-9 BET

Teilbestand: 3846

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

MT48V4M32LFB5-8 XT:G

Teilbestand: 4371

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F800B5SG-8 TET

Teilbestand: 4149

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

MT40A4G8KVA-083H:G

Teilbestand: 131

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR4, Speichergröße: 32Gb (4G x 8), Taktfrequenz: 1.2GHz,

MT48LC4M16A2P-7E IT:G

Teilbestand: 684

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

MT28F400B3WG-8 TET TR

Teilbestand: 2999

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

MT46V64M8P-5B:D TR

Teilbestand: 8011

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC8M32LFF5-8 TR

Teilbestand: 2535

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V8M16TG-75:D

Teilbestand: 8203

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR

Teilbestand: 129

MT48LC4M32LFB5-8 IT:G

Teilbestand: 4148

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT47H64M16BT-37E:A

Teilbestand: 8585

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V128M8TG-6T:A

Teilbestand: 5629

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V64M8TG-75Z:D TR

Teilbestand: 8247

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F008B3VG-9 TET TR

Teilbestand: 2068

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

MT48V8M16LFB4-8:G TR

Teilbestand: 3448

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F008B5VG-8 T

Teilbestand: 2187

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

MT28F640J3RG-115 MET

Teilbestand: 3786

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

NAND256W3A2BZA6E

Teilbestand: 8590

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

MT28F640J3RG-115 GMET TR

Teilbestand: 3728

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT46V64M8BN-5B:D TR

Teilbestand: 7589

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT45W2MW16BAFB-706 WT

Teilbestand: 4660

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 32Mb (2M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

MT28F640J3RP-115 ET

Teilbestand: 3790

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT48H8M32LFB5-10

Teilbestand: 4013

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V16M8TG-75:D TR

Teilbestand: 5973

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F800B3WG-9 TET TR

Teilbestand: 3449

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

MT48LC8M32LFB5-10 TR

Teilbestand: 2382

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC16M8A2P-7E:G TR

Teilbestand: 9896

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR

Teilbestand: 4347

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,