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MT48LC8M16LFTG-75:G TR

MT48LC8M16LFTG-75:G TR

Teilbestand: 2156

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT46V32M8TG-75 IT:G

MT46V32M8TG-75 IT:G

Teilbestand: 7282

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT28F320J3BS-11 MET

MT28F320J3BS-11 MET

Teilbestand: 2502

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

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MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

Teilbestand: 8679

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 256Mb (64M x 4), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT46V32M16P-75 L:C

MT46V32M16P-75 L:C

Teilbestand: 6700

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC32M8A2P-6A:D

MT48LC32M8A2P-6A:D

Teilbestand: 299

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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MT48V4M32LFB5-10 IT:G

MT48V4M32LFB5-10 IT:G

Teilbestand: 2953

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

Teilbestand: 4830

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

Teilbestand: 3545

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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MT46V32M16P-5B:C

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Teilbestand: 6597

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

Teilbestand: 2361

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT46V32M8FG-6 L:G

MT46V32M8FG-6 L:G

Teilbestand: 3739

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

Teilbestand: 239

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Gb (64G x 8), Taktfrequenz: 166MHz,

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MT28F800B3WG-9 B TR

MT28F800B3WG-9 B TR

Teilbestand: 3975

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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MT48LC2M32B2TG-5:G

MT48LC2M32B2TG-5:G

Teilbestand: 10064

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 200MHz,

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MT48H4M16LFB4-8 IT

MT48H4M16LFB4-8 IT

Teilbestand: 9090

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT46V64M16TG-6T:A TR

MT46V64M16TG-6T:A TR

Teilbestand: 7546

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC8M16A2TG-75:G

MT48LC8M16A2TG-75:G

Teilbestand: 1704

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT45W4MW16PBA-70 WT

MT45W4MW16PBA-70 WT

Teilbestand: 5020

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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MT48LC32M8A2BB-75 IT:D

MT48LC32M8A2BB-75 IT:D

Teilbestand: 4016

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC16M8A2FB-7E:G

MT48LC16M8A2FB-7E:G

Teilbestand: 9717

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

Teilbestand: 105

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Tb (256G x 8), Taktfrequenz: 333MHz,

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MT28F640J3BS-115 GMET

MT28F640J3BS-115 GMET

Teilbestand: 3310

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

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MT48LC8M32LFF5-8 IT

MT48LC8M32LFF5-8 IT

Teilbestand: 4339

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT46V128M4P-6T:D TR

MT46V128M4P-6T:D TR

Teilbestand: 5473

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (128M x 4), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC8M16A2P-7E IT:G

MT48LC8M16A2P-7E IT:G

Teilbestand: 1645

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

Teilbestand: 67

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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MT45W4MW16BFB-708 WT F

MT45W4MW16BFB-708 WT F

Teilbestand: 4996

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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MT28F004B5VG-8 B

MT28F004B5VG-8 B

Teilbestand: 1723

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT28F008B5VG-8 B

MT28F008B5VG-8 B

Teilbestand: 2068

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT48V8M32LFB5-10

MT48V8M32LFB5-10

Teilbestand: 4403

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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M29W640FB70ZA6E

M29W640FB70ZA6E

Teilbestand: 8508

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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MT28F400B3SG-8 TET TR

MT28F400B3SG-8 TET TR

Teilbestand: 2833

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT28F400B5WP-8 T

MT28F400B5WP-8 T

Teilbestand: 3319

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT48LC8M16LFB4-8:G TR

MT48LC8M16LFB4-8:G TR

Teilbestand: 1926

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC8M16LFB4-10:G

MT48LC8M16LFB4-10:G

Teilbestand: 1868

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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