Erinnerung

MT28F004B3VG-8 T TR

Teilbestand: 1678

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (128M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Teilbestand: 6641

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC8M8A2P-7E L:G

Teilbestand: 2799

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (8M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

MT47H32M16CC-3:B TR

Teilbestand: 4732

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 333MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 503

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 7677

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Teilbestand: 1097

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC8M16A2TG-7E IT:G

Teilbestand: 1744

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

MT48H4M16LFB4-10

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V8M16TG-75:D TR

Teilbestand: 8279

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (64M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F128J3BS-12 MET

Teilbestand: 2308

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48V4M32LFF5-8 IT:G

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V32M16TG-75 L:C TR

Teilbestand: 6920

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F008B5VG-8 BET

Teilbestand: 2052

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

MT45W4MW16BBB-706 L WT

Teilbestand: 3493

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (32M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC8M32LFF5-10

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F640J3FS-115 XMET

Teilbestand: 3720

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT28F128J3FS-12 MET

Teilbestand: 2333

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MT28F400B5WG-8 B TR

Teilbestand: 3128

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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Teilbestand: 1919

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48V8M16LFF4-8 XT:G

Teilbestand: 4389

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48V8M16LFF4-8:G

Teilbestand: 3548

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F400B3WG-8 B

Teilbestand: 2838

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

MT28F640J3RG-115 XMET TR

Teilbestand: 3786

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT46V128M4BN-75:D

Teilbestand: 5372

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (128M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48V4M32LFB5-8:G

Teilbestand: 3137

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR

Teilbestand: 1593

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR

Teilbestand: 435

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Gb (32G x 8), Taktfrequenz: 100MHz,

MT48V8M32LFB5-10 TR

Teilbestand: 4420

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,