Erinnerung

MT28F800B5SG-8 BET TR

MT28F800B5SG-8 BET TR

Teilbestand: 4196

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT46V64M8BN-75 IT:D TR

MT46V64M8BN-75 IT:D TR

Teilbestand: 7693

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48H16M32L2F5-10 IT TR

MT48H16M32L2F5-10 IT TR

Teilbestand: 8917

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 512Mb (16M x 32), Taktfrequenz: 100MHz,

Wunschzettel
MT48LC32M8A2P-7E:D

MT48LC32M8A2P-7E:D

Teilbestand: 496

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
MT46V32M16BN-5B:C

MT46V32M16BN-5B:C

Teilbestand: 6087

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT47H256M4BT-5E:A

MT47H256M4BT-5E:A

Teilbestand: 3911

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (256M x 4), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT28F004B3VG-8 B TR

MT28F004B3VG-8 B TR

Teilbestand: 1511

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT48LC64M4A2TG-75 L:D

MT48LC64M4A2TG-75 L:D

Teilbestand: 1383

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (64M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC8M32B2F5-7 IT

MT48LC8M32B2F5-7 IT

Teilbestand: 2284

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
MT48H16M32L2B5-8 IT

MT48H16M32L2B5-8 IT

Teilbestand: 8870

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 512Mb (16M x 32), Taktfrequenz: 125MHz,

Wunschzettel
MT48LC4M16A2P-7E IT:G TR

MT48LC4M16A2P-7E IT:G TR

Teilbestand: 778

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
MT48V4M32LFB5-8 IT:G

MT48V4M32LFB5-8 IT:G

Teilbestand: 4319

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E

Teilbestand: 124

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 64Gb (1G x 64), Taktfrequenz: 2133MHz,

Wunschzettel
MT48LC16M8A2P-75 L:G TR

MT48LC16M8A2P-75 L:G TR

Teilbestand: 9800

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT45W4MW16BFB-706 WT F TR

MT45W4MW16BFB-706 WT F TR

Teilbestand: 4933

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

Wunschzettel
MT46V256M4TG-75:A

MT46V256M4TG-75:A

Teilbestand: 5967

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 1Gb (256M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V64M8FN-75 L:D TR

MT46V64M8FN-75 L:D TR

Teilbestand: 7923

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT28F640J3FS-115 MET

MT28F640J3FS-115 MET

Teilbestand: 3680

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Wunschzettel
MT48V8M32LFB5-10 IT

MT48V8M32LFB5-10 IT

Teilbestand: 3635

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT28F400B5SG-8 TET

MT28F400B5SG-8 TET

Teilbestand: 380

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT28F800B3WG-9 BET TR

MT28F800B3WG-9 BET TR

Teilbestand: 3966

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

Wunschzettel
MT48LC16M16A2TG-7E L:D

MT48LC16M16A2TG-7E L:D

Teilbestand: 9640

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
MT28F400B5WG-8 TET

MT28F400B5WG-8 TET

Teilbestand: 3214

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT48LC8M16LFTG-75:G

MT48LC8M16LFTG-75:G

Teilbestand: 2184

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48V8M32LFB5-10 IT TR

MT48V8M32LFB5-10 IT TR

Teilbestand: 3643

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V32M8FG-75:G

MT46V32M8FG-75:G

Teilbestand: 3786

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48H16M32L2B5-8 TR

MT48H16M32L2B5-8 TR

Teilbestand: 3918

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 512Mb (16M x 32), Taktfrequenz: 125MHz,

Wunschzettel
MT48LC64M8A2TG-75 L:C

MT48LC64M8A2TG-75 L:C

Teilbestand: 1567

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT45W4MW16PBA-70 IT

MT45W4MW16PBA-70 IT

Teilbestand: 5001

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

Wunschzettel
MT47H64M8CB-37V:B

MT47H64M8CB-37V:B

Teilbestand: 8606

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC4M32LFF5-8:G TR

MT48LC4M32LFF5-8:G TR

Teilbestand: 1284

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC2M32B2P-6 IT:G

MT48LC2M32B2P-6 IT:G

Teilbestand: 10048

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
MT46V32M16FN-6:C

MT46V32M16FN-6:C

Teilbestand: 6305

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT46V32M16BN-6:C

MT46V32M16BN-6:C

Teilbestand: 6109

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC4M32B2P-7 IT:G

MT48LC4M32B2P-7 IT:G

Teilbestand: 879

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

Wunschzettel
MT28F800B3SG-9 B TR

MT28F800B3SG-9 B TR

Teilbestand: 3887

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

Wunschzettel